Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Е 50 Автор(ы) : Елесин В. Ф., Катеев И. Ю., Сукочев А. Ю. Заглавие : Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр.: с. 84 (14 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диод резонансно-туннельный--процессы переходные--взаимодействие межэлектронное --ток--ртд--резонанс Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г Доп.точки доступа: Катеев, И. Ю.; Сукочев, А. Ю.