Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Е 50 Автор(ы) : Елесин В. Ф., Ремнев М. А. Заглавие : Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр.: с. 88 (19 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансно-туннельный диод--ток--диод --резонанс --шредингер--слой эмиттера спейсерного Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном Доп.точки доступа: Ремнев, М. А.