Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 53 Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А. Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□ Доп.точки доступа: Шкляр, Т. Ф.; Дьячкова, Е. П.; Динисламова, О. А.; Сафронов, А. П.; Лейман, Д. В.; Бляхман, Ф. А.