Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Ю 20 Автор(ы) : Юзеева Н. А. Заглавие : Подвижность электронов в структурах с квантовой ямой in 0,52Al0,48As/In 0,53Gа0,47As на подложке InP Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 19-22: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 22 (9 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложка inp --яма квантовая--немт--подвижность электронов--inalas/ingaas--диаграммы зонные Аннотация: Исследовано влияние изменения ширины квантовой ямы d на подвижности электронов в квантовой яме In 0,52Al 0,48As/In 0,53Gа 0,47AS на подложке InP. Подвижность немонотонно зависит от d. Максимальная подвижность, равная 53 500 см 2/(В • с), наблюдается при d = 160 Å. Получены из эффекта Шубникова — де Гааза и рассчитаны теоретически квантовая и транспортная подвижности электронов. Установлено, что преобладающим типом рассеяния электронов является рассеяние на ионах примеси. Кроме того, рассчитаны зонные диаграммы исследованных структур