Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/В 58 Автор(ы) : Бочарова С. И., Гапанович М. В., Войлов Д. Н., Один И. Н., Новиков Г. Ф. Заглавие : Влияние условий электрохимического осаждения на свойства нанокристаллических пленок CuInSe2 Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 16-19: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр.: с. 19 (13 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--пленки нанокристаллические cuinse2 --свойства нанокристаллических пленок--растворы этанольные --свойства оптические --адгезия пленок--микроскопия атомно-силовая --область когерентного рассеяния (окр) --пленки синтезированные однофазные --асм--анализ рентгенофазовый Аннотация: Исследовано влияние потенциалов и времени электрохимического осаждения из этанольных растворов на фазовый состав, структуру, оптические свойства и адгезию нанокристаллических пленок CuInSe2 (CIS). На основании данных рентгенофазового анализа (РФА) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) установлена область потенциалов, в которой происходит образование однофазных пленок CIS. В этой области наблюдалась наилучшая адгезия пленок к подложке стекло/Mo. Размер области когерентного рассеяния (ОКР) определен по данным РФА как 6 нм. Измерения АСМ показали, что пленки состоят из конгломератов (~200 нм) наночастиц, размер которых (10 нм) зависит от времени и потенциала осаждения. Ширина запрещенной зоны синтезированных однофазных пленок оценена по спектрам оптического поглощения как 1.5 эВ Доп.точки доступа: Бочарова, С. И.; Гапанович, М. В.; Войлов, Д. Н.; Один, И. Н.; Новиков, Г. Ф.