Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/И 37 Автор(ы) : Гатин А. К., Гришин М. В., Кирсанкин А. А., Кожушнер М. А., Посвянский В. С., Харитонов В. А., Шуб Б. Р. Заглавие : Измерение локальной толщины слоя оксида и его электронных характеристик В СТМ Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 9-10. - С. 51-60: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр.: с. 60 (26 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки тонкие оксидные--микроскоп туннельный--структура --пленки--стм Аннотация: В работе представлен способ определения локальных толщин и параметров электронной структуры тонких оксидных пленок, а также абсолютных значений расстояния между острием сканирующего туннельного микроскопа и поверхностью исследуемого образца Доп.точки доступа: Гатин, А. К.; Гришин, М. В.; Кирсанкин, А. А.; Кожушнер, М. А.; Посвянский, В. С.; Харитонов, В. А.; Шуб, Б. Р.