Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 53.087:537.621.2/О-75 Автор(ы) : Беспалов В. А., Дюжев Н. А., Юров А. С., Чиненков М. Ю., Мазуркин Н. С. Заглавие : Особенности применения магниторезистивных наноструктур в датчиках автомобильных электронных систем Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 48-54. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 54 (13 назв.) УДК : 53.087:537.621.2 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анизотропное магнитосопротивление--датчик оборотов--датчик углового положения--магниторезистор--нэмс--мэмс Аннотация: Рассматриваются пути применения магниторезистивных наноструктур на основе анизотропных пленок пермаллоя Ni (80 %) Fe (20 %) в автомобильных датчиках. Чувствительный элемент датчиков представляет собой четыре магниторезистора в форме меандра, соединенных в мостовую схему. Характерная толщина слоя пермаллоя в экспериментальных образцах магниторезисторов составляет 50...100 нм. Приводятся характеристики экспериментальных образцов чувствительных элементов. Показана возможность использования подобных чувствительных элементов для построения датчиков оборотов и углового положения Доп.точки доступа: Беспалов, В. А.; Дюжев, Н. А.; Юров, А. С.; Чиненков, М. Ю.; Мазуркин, Н. С.