Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 53.087:537.621.2/С 72 Автор(ы) : Демин Г. Д., Дюжев Н. А., Попков А. Ф., Чиненков М. Ю. Заглавие : Спин-поляризованная токовая эмиссия в вакуум и переключение магнитного состояния тонких наноостровковых пленок Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 24-30. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 30 (15 назв.) УДК : 53.087:537.621.2 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спин-поляризованное туннелирование--вакуумный зазор--токовое перемагничивание--магнитная наноостровковая структура--туннельное магнитосопротивление--туннельная спиновая поляризация Аннотация: Исследуются особенности спин-поляризованного туннелирования через вакуумный зазор при инжекции электронов с магнитного покрытия катода на поверхность магнитных наноостровковых структур в режимах слабой и сильной полевой эмиссии. Обнаружено сильное влияние работы выхода и спинового расщепления магнитного катода на плотность протекающего туннельного тока, а также установлено существенное изменение характера спин-зависимого туннелирования при высоких напряжениях. Полученные теоретические оценки могут быть в дальнейшем использованы для реализации перемагничивания током спинового состояния магнитных наноостровковых пленок и разработки нового поколения высокоплотных запоминающих устройств, основанных на токовом переносе спина Доп.точки доступа: Демин, Г. Д.; Дюжев, Н. А.; Попков, А. Ф.; Чиненков, М. Ю.