Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.315.592/С 31 Автор(ы) : Сеничкин А. П., Бугаев А. С., Ячменев А. Э. Заглавие : Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17: табл., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 17 (3 назв.) УДК : 621.315.592 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов Доп.точки доступа: Бугаев, А. С.; Ячменев, А. Э.