Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382.323/Р 17 Автор(ы) : Галиев Г. Б., Климов Е. А., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Федоров Ю. В., Бугаев А. С. Заглавие : Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 28-29: граф., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 29 (3 назв.) УДК : 621.382.323 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--а3в5--генерация и детектирование терагерцового излучения--молекулярно-лучевая эпитаксия--низкотемпературный арсенид галлия Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения. Разработаны и изготовлены антенны с различной топологией с максимальной частотой генерации ~2 ТГц Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Лаврухин, Д. В.; Ячменев, А. Э.; Галиев, Р. Р.; Пономарев, Д. С.; Хабибуллин, Р. А.; Федоров, Ю. В.; Бугаев, А. С.