Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382.323/Р 17 Автор(ы) : Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б. Заглавие : Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 28-31: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 31 (6 назв.) УДК : 621.382.323 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--азв5--молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Экспериментально исследована серия метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с различным содержанием индия в метаморфном буферном слое (0,30...0,55). Разработан полевой транзистор с барьером Шоттки с периферией 2 ´ 50 мкм, длиной затвора 0,53 мкм и предельной частотой усиления по мощности f max = 200 ГГц Доп.точки доступа: Ячменев, А. Э.; Бугаев, А. С.; Хабибуллин, Р. А.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.