Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/Г 95 Автор(ы) : Гурский Л. И., Крылова Г. В. Заглавие : Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 28-32 Примечания : Библиогр.: с. 32 (7 назв.) ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 3d-транзистор--наноразмерный слой --подзатворные наноразмерные слои--оксида тантала--пленка ленгмюра–блоджетта--заряженные экситоны Аннотация: Рассмотрены принципы построения многозатворного 3D-транзистора с полевым управлением, основанным на 3D-экситон¬но-диэлектрической структуре с наноразмерными слоями и подзатворной активной области в гетероструктуре. Доп.точки доступа: Крылова, Г. В.