Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/М 79 Автор(ы) : Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. Заглавие : Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводщих наноструктурах Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191: рис., табл. Примечания : Библиогр.: с. 191 (8 назв.) ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--матрицы памяти Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Кудрявцев, С. Е.; Левин, В. Л.