Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/А 16 Автор(ы) : Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Заглавие : Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 13 (21 назв.) ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): межзонное туннелирование--диод--двухзонная модель Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Гончаренко, И. А.