Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/З-17 Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В. Заглавие : Особенности формирования подзатворной системы наноприборов Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 39 (10 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--диэлектрик подзатворный--слой переходный Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Матюшкин, И. В.