Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16 Автор(ы) : Абрамов И. И., Баранов А. Л. Заглавие : Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 6 (15 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура одноэлектронная приборная--квантование пространственное--модель физико-топологическая Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Баранов, А. Л.