Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 12 Автор(ы) : Павлов С. В. Заглавие : Модель фазовых переходов в тонкой эпитаксиальной пленке сегнетоэлектрика на подложке Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 6-9: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 9 (2 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): модель феноменологическая--пленка тонкая--поляризация спонтанная Аннотация: Pассмотpена феноменологическая модель фазовых переходов в тонких пленках сегнетоэлектриков с учетом пространственной неоднородности поляризации и неоднородности деформации, а также пьезоэлектрических и электрострикционных взаимодействий пленки с подложкой. Получены теоретические температурные зависимости спонтанной поляризации, поляризационного профиля и теплоемкости в пленке, а также зависимость температуры фазового перехода от толщины пленки на подложке. Показано, что теоретические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами для тонких пленок титаната бария на подложке из оксида магния Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН