Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 32 Автор(ы) : Серегин Д. С. Заглавие : Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства пленок цтс Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 19-22: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с.22 (10 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): золь-гель--пленки--сегнетоэлектрик Аннотация: Исследовано влияние температуры отжига на электрофизические свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов. Образцы, кристаллизованные при температурах 600- 700 °C, имеют характерные для сегнетоэлектриков петли гистерезиса и ВФХ, при этом с ростом температуры отжига наблюдается снижение остаточной поляризации, прямоугольности петель гистерезиса, уменьшение токов утечки и некоторое возрастание электрической прочности Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН