Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Ш 29 Автор(ы) : Шауцуков А. Г., Хатукаев Х. М. Заглавие : Применение процессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 13-16: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 16 (5 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диод двухпролетный лавинопролетный--легирование ионное--метод эпитаксиального наращивания Аннотация: Рассмотрена возможность получения структур кремниевых двухпролетных лавинопролетных диодов (ЛПД) с использованием процессов эпитаксиального наращивания в реакторе пониженного давления, многократного ионного легирования, имплантации легирующей примеси через пленки и фотонного отжига ионно-легированных слоев. Показано, что разработанная технология может быть использована для организации серийного выпуска ряда перспективных двухпролетных ЛПД миллиметрового диапазона Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Хатукаев, Х. М.