Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/В 58 Автор(ы) : Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г., Григорьев Д. В., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А. Заглавие : Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 48-52: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 52 (27 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотодетектор--дефекты радиационные--теллурид кадмия-ртути Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А.