Б 79 Болтачев, Г. Ш. Свойства критических пузырьков раствора аргон-криптон [] / Г. Ш. Болтачев, В. Г. Байдаков // Неравновесные фазовые переходы и физические свойства веществ: Сб. науч. тр. / УрО РАН. - 1996. - С. 137-160 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН-КРИПТОН (РАСТВОРЫ) -- ПУЗЫРЬКИ КРИТИЧЕСКИЕ -- КРИТИЧЕСКИЕ ПУЗЫРЬКИ -- АРГОН -- Ar (АРГОН) -- КРИПТОН -- Kr (КРИПТОН) -- РАСТВОРЫ -- ТЕПЛОФИЗИКА |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т.37, N4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] = The Kinetics of Boiling of Superheated Binary Solutions / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т. 37, N 4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |
Б 79 Болтачев, Г. Ш. Свойства критических пузырьков раствора аргон-криптон [] / Г. Ш. Болтачев, В. Г. Байдаков // Неравновесные фазовые переходы и физические свойства веществ: Сб. науч. тр. / УрО РАН. - 1996. - С. 137-160 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН-КРИПТОН (РАСТВОРЫ) -- ПУЗЫРЬКИ КРИТИЧЕСКИЕ -- КРИТИЧЕСКИЕ ПУЗЫРЬКИ -- АРГОН -- Ar (АРГОН) -- КРИПТОН -- Kr (КРИПТОН) -- РАСТВОРЫ -- ТЕПЛОФИЗИКА |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т.37, N4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] = The Kinetics of Boiling of Superheated Binary Solutions / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т. 37, N 4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |