С 45 Скрипов, П. В. Линии достижимого перегрева бинарных растворов [] : сборник научных трудов / П. В. Скрипов // Термодинамика метастабильных систем. - Свердловск, 1989. - С. 60-68 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- ЛИНИЯ ПЕРЕГРЕВА -- ПЕРЕГРЕВ ДОСТИЖИМЫЙ |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т.37, N4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |
Б 79 Болтачев, Г. Ш. Влияние кривизны межфазной границы на свойства зародышей новой фазы в бинарном растворе [] = The Influence of Interface Curvature on Properties of Nuclei of a New Phase in Binary Solution / Г. Ш. Болтачев, В. Г. Байдаков // Коллоидный журнал. - 2000. - Т. 62, N1. - С. 5-11 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КРИВИЗНА ГРАНИЦЫ -- ГРАНИЦЫ КРИВИЗНА -- границы межфазные -- ЗАРОДЫШИ -- ФАЗА НОВАЯ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- АДСОРБЦИЯ -- ПАРАМЕТРЫ ТОЛМЕНА -- ТЕОРИЯ КАПИЛЛЯРНОСТИ ВАН-ДЕР-ВААЛЬСА -- НУКЛЕАЦИЯ ГОМОГЕННАЯ -- ГОМОГЕННАЯ НУКЛЕАЦИЯ Аннотация: Поверхностное натяжение сигма, адсорбция и параметры Толмена представлены в виде рядов по кривизне межфазной поверхности с. Для адсорбции и параметров Толмена разложения ограничиваются линейными по с членами, для поверхностного натяжения - квадратичным. С использованием теории капиллярности Ван-дер-Ваальса коэффициенты разложений выражены через характеристики плоской межфазной поверхности. Проанализирована зависимость сигма(с) зародышей новой фазы при заходе в метастабильную область вдоль линии постоянной концентрации и линии, на которой свойства искривленной межфазной поверхности в бинарном растворе изоморфны однокомпонентной системе. Для флюида Ван-дер-Ваальса результаты разложений сопоставляются с данными прямых численных расчетов. Показана широкая (по значениям кривизны) область применимости полученных формул. Это позволяет использовать их в теории гомогенной нуклеации для определения работы образования критического зародыша |
Б 18 Байдаков, В. Г. Свойства критических зародышей жидкости и пара в бинарных растворах [] = Properties of Critical Nuclei of Liquid and Vapor in Binary Solutions / В. Г. Байдаков, Г. Ш. Болтачев // Журнал физической химии. - 1997. - Т. 71, N11. - С. 1965-1970 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): СВОЙСТВА КРИТИЧЕСКИЕ -- КРИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЗАРОДЫШИ -- жидкости -- ПАР -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы -- КАПИЛЛЯРНОСТЬ ВАН-ДЕР-ВААЛЬСА -- КАПИЛЛЯРНОСТЬ ГИББСА -- РАСТВОРИМОСТЬ -- ПЕРЕМЕННЫЕ ИЗОМОРФНЫЕ СИГМА -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- АДСОРБЦИЯ -- РАДИУС КРИВИЗНЫ R* -- ЗАВИСИМОСТЬ СИГМА(R*) -- ВАН-ДЕР-ВААЛЬСА КАПИЛЛЯРНОСТЬ -- ГИББСА КАПИЛЛЯРНОСТЬ -- КАПИЛЛЯРНОСТЬ ГИББСА -- СИГМА(R*) Аннотация: В рамках теории капиллярности Ван-дер-Ваальса и Гиббса с использованием одножидкостной модели исследованы свойства критических капелек жидкости и пузырьков пара в бинарных ван-дер-ваальсовских растворах с полной растворимостью компонентов. Подробно проанализирован частный случай зарождения новой фазы, когда коэффициенты при градиентах плотности компонетов в функционале Ван-дер-Ваальса удовдлетворяют условию k12=k21=(k11k22)1/2. Показано, что при этом могут быть введены изоморфные переменные, в которых свойства зародышей в бинарном растворе полностью подобны таковым в однокомпонентой среде. Определены работа образования критических зародышей, их поверхностное натяжение сигма, адсорбция, локализованы положения разделяющих поверхностей. В пределе больших радиусов кривизны R* получено уравнение для зависимости сигма (R*) капелек жидкости и пузырьков пара |
Б 79 Болтачев, Г. Ш. Уравнение состояния газонасыщенных растворов кислород-гелий, этан-гелий [] / Г. Ш. Болтачев, В. Г. Байдаков // Метастабильные состояния и фазовые переходы : сб. науч. тр. / Ин-т теплофизики УрО РАН. - Екатеринбург, 1998. - Вып.2. - С. 65-71. - Библиогр.: 10 назв. Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): УРАВНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ -- РАСТВОР КИСЛОРОД-ГЕЛИЙ -- РАСТВОР ЭТАН-ГЕЛИЙ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- ДАВЛЕНИЕ -- зависимости температурные -- спинодали -- ПУЗЫРЬКИ КРИТИЧЕСКИЕ -- ЗАРОДЫШИ КРИТИЧЕСКИЕ -- РАСТВОР ГАЗОНАСЫЩЕННЫЙ Аннотация: В рамках одножидкостной модели раствора на основе единых уравнений состояния чистых компонентов построены уравнения состояния бинарных газонасыщенных растворов кислород-гелий и этан-гелий. При давления до 7 МПа и температурах 90-150 К (кислород-гелий) и 193.15-273.15 К (этан-гелий) согласие с экспериментальными данными на линии насыщения по составу газовой фазы составляет 4%, а по составу жидкой фазы - 0,1%. Рассчитаны критические линии растворов, спинодаль жидкой фазы, давление, концентрация и работа образования критических пузырьков. Результаты расчетов давления и работы образования критических зародышей сопоставлены с данными различных модельных приближений |
Н 62 Никитин, Е. Д. К оценке времени запаздывания при вскипании бинарных растворов [] / Е. Д. Никитин // Метастабильные фазовые состояния и кинетика релаксации/УрО РАН. Ин-т теплофизики. - 1992. - С. 93-96 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): ВРЕМЯ ЗАПАЗДЫВАНИЯ -- ВСКИПАНИЕ РАСТВОРА -- РАСТВОРА ВСКИПАНИЕ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы |
С 45 Скрипов, П. В. Достижимый перегрев бинарных растворов [] / П. В. Скрипов // Теплофизика высоких температур. - 1988. - Т. 25, N 2. - С. 315-321 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- ПЕРЕГРЕВ ДОСТИЖИМЫЙ |
С 45 Скрипов, П. В. Метод прогнозирования температуры спонтанного вскипания бинарных растворов [] / П. В. Скрипов // Инженерно-физический журнал. - 1988. - Т. 34, N 3. - С. 357-361 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): ТЕМПЕРАТУРА ВСКИПАНИЯ -- ВСКИПАНИЕ СПОНТАННОЕ -- СПОНТАННОЕ ВСКИПАНИЕ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] = The Kinetics of Boiling of Superheated Binary Solutions / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т. 37, N 4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |
С 45 Скрипов, П. В. Линии достижимого перегрева бинарных растворов [] : сборник научных трудов / П. В. Скрипов // Термодинамика метастабильных систем. - Свердловск, 1989. - С. 60-68 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- ЛИНИЯ ПЕРЕГРЕВА -- ПЕРЕГРЕВ ДОСТИЖИМЫЙ |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т.37, N4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |
Б 79 Болтачев, Г. Ш. Влияние кривизны межфазной границы на свойства зародышей новой фазы в бинарном растворе [] = The Influence of Interface Curvature on Properties of Nuclei of a New Phase in Binary Solution / Г. Ш. Болтачев, В. Г. Байдаков // Коллоидный журнал. - 2000. - Т. 62, N1. - С. 5-11 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КРИВИЗНА ГРАНИЦЫ -- ГРАНИЦЫ КРИВИЗНА -- границы межфазные -- ЗАРОДЫШИ -- ФАЗА НОВАЯ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- АДСОРБЦИЯ -- ПАРАМЕТРЫ ТОЛМЕНА -- ТЕОРИЯ КАПИЛЛЯРНОСТИ ВАН-ДЕР-ВААЛЬСА -- НУКЛЕАЦИЯ ГОМОГЕННАЯ -- ГОМОГЕННАЯ НУКЛЕАЦИЯ Аннотация: Поверхностное натяжение сигма, адсорбция и параметры Толмена представлены в виде рядов по кривизне межфазной поверхности с. Для адсорбции и параметров Толмена разложения ограничиваются линейными по с членами, для поверхностного натяжения - квадратичным. С использованием теории капиллярности Ван-дер-Ваальса коэффициенты разложений выражены через характеристики плоской межфазной поверхности. Проанализирована зависимость сигма(с) зародышей новой фазы при заходе в метастабильную область вдоль линии постоянной концентрации и линии, на которой свойства искривленной межфазной поверхности в бинарном растворе изоморфны однокомпонентной системе. Для флюида Ван-дер-Ваальса результаты разложений сопоставляются с данными прямых численных расчетов. Показана широкая (по значениям кривизны) область применимости полученных формул. Это позволяет использовать их в теории гомогенной нуклеации для определения работы образования критического зародыша |
Б 18 Байдаков, В. Г. Свойства критических зародышей жидкости и пара в бинарных растворах [] = Properties of Critical Nuclei of Liquid and Vapor in Binary Solutions / В. Г. Байдаков, Г. Ш. Болтачев // Журнал физической химии. - 1997. - Т. 71, N11. - С. 1965-1970 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): СВОЙСТВА КРИТИЧЕСКИЕ -- КРИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЗАРОДЫШИ -- жидкости -- ПАР -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы -- КАПИЛЛЯРНОСТЬ ВАН-ДЕР-ВААЛЬСА -- КАПИЛЛЯРНОСТЬ ГИББСА -- РАСТВОРИМОСТЬ -- ПЕРЕМЕННЫЕ ИЗОМОРФНЫЕ СИГМА -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- АДСОРБЦИЯ -- РАДИУС КРИВИЗНЫ R* -- ЗАВИСИМОСТЬ СИГМА(R*) -- ВАН-ДЕР-ВААЛЬСА КАПИЛЛЯРНОСТЬ -- ГИББСА КАПИЛЛЯРНОСТЬ -- КАПИЛЛЯРНОСТЬ ГИББСА -- СИГМА(R*) Аннотация: В рамках теории капиллярности Ван-дер-Ваальса и Гиббса с использованием одножидкостной модели исследованы свойства критических капелек жидкости и пузырьков пара в бинарных ван-дер-ваальсовских растворах с полной растворимостью компонентов. Подробно проанализирован частный случай зарождения новой фазы, когда коэффициенты при градиентах плотности компонетов в функционале Ван-дер-Ваальса удовдлетворяют условию k12=k21=(k11k22)1/2. Показано, что при этом могут быть введены изоморфные переменные, в которых свойства зародышей в бинарном растворе полностью подобны таковым в однокомпонентой среде. Определены работа образования критических зародышей, их поверхностное натяжение сигма, адсорбция, локализованы положения разделяющих поверхностей. В пределе больших радиусов кривизны R* получено уравнение для зависимости сигма (R*) капелек жидкости и пузырьков пара |
Б 79 Болтачев, Г. Ш. Уравнение состояния газонасыщенных растворов кислород-гелий, этан-гелий [] / Г. Ш. Болтачев, В. Г. Байдаков // Метастабильные состояния и фазовые переходы : сб. науч. тр. / Ин-т теплофизики УрО РАН. - Екатеринбург, 1998. - Вып.2. - С. 65-71. - Библиогр.: 10 назв. Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): УРАВНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ -- РАСТВОР КИСЛОРОД-ГЕЛИЙ -- РАСТВОР ЭТАН-ГЕЛИЙ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- ДАВЛЕНИЕ -- зависимости температурные -- спинодали -- ПУЗЫРЬКИ КРИТИЧЕСКИЕ -- ЗАРОДЫШИ КРИТИЧЕСКИЕ -- РАСТВОР ГАЗОНАСЫЩЕННЫЙ Аннотация: В рамках одножидкостной модели раствора на основе единых уравнений состояния чистых компонентов построены уравнения состояния бинарных газонасыщенных растворов кислород-гелий и этан-гелий. При давления до 7 МПа и температурах 90-150 К (кислород-гелий) и 193.15-273.15 К (этан-гелий) согласие с экспериментальными данными на линии насыщения по составу газовой фазы составляет 4%, а по составу жидкой фазы - 0,1%. Рассчитаны критические линии растворов, спинодаль жидкой фазы, давление, концентрация и работа образования критических пузырьков. Результаты расчетов давления и работы образования критических зародышей сопоставлены с данными различных модельных приближений |
Н 62 Никитин, Е. Д. К оценке времени запаздывания при вскипании бинарных растворов [] / Е. Д. Никитин // Метастабильные фазовые состояния и кинетика релаксации/УрО РАН. Ин-т теплофизики. - 1992. - С. 93-96 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): ВРЕМЯ ЗАПАЗДЫВАНИЯ -- ВСКИПАНИЕ РАСТВОРА -- РАСТВОРА ВСКИПАНИЕ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы |
С 45 Скрипов, П. В. Достижимый перегрев бинарных растворов [] / П. В. Скрипов // Теплофизика высоких температур. - 1988. - Т. 25, N 2. - С. 315-321 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- ПЕРЕГРЕВ ДОСТИЖИМЫЙ |
С 45 Скрипов, П. В. Метод прогнозирования температуры спонтанного вскипания бинарных растворов [] / П. В. Скрипов // Инженерно-физический журнал. - 1988. - Т. 34, N 3. - С. 357-361 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): ТЕМПЕРАТУРА ВСКИПАНИЯ -- ВСКИПАНИЕ СПОНТАННОЕ -- СПОНТАННОЕ ВСКИПАНИЕ -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- бинарные растворы |
Б 18 Байдаков, В. Г. Кинетика вскипания перегретых бинарных растворов [] = The Kinetics of Boiling of Superheated Binary Solutions / В. Г. Байдаков // Теплофизика высоких температур. - 1999. - Т. 37, N 4. - С. 595-601 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА ВСКИПАНИЯ -- растворы перегретые -- РАСТВОР БИНАРНЫЙ -- НУКЛЕАЦИЯ -- ПРОЦЕСС ДИФФУЦИОННЫЙ -- ЗАРОДЫШИ -- ОБЪЕМ ЗАРОДЫША -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПОТЕНЦИАЛ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ -- ТОЧКА СЕДЛОВАЯ -- ПУЗЫРЬКИ ПАРОВЫЕ -- ВЯЗКОСТЬ РАСТВОРА -- МОЛЕКУЛЫ РАСТВОРИТЕЛЯ -- СКОРОСТЬ ИСПАРЕНИЯ -- ТЕНЗОР ДИФФУЗИИ -- ДИФФУЗИЯ ОБОБЩЕННАЯ -- ДЕКРЕМЕНТ НАРАСТАНИЯ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- ПЕРЕМЕННЫЕ НЕУСТОЙЧИВЫЕ -- РАСТВОР АРГОН-КРИПТОН -- АРГОН -- Ar -- КРИПТОН -- Kr Аннотация: Нуклеация в перегретом бинарном растворе рассматривается как диффузионный процесс в пространстве трех переменных зародыша: его объема v и парциальных давлений компонентов p(")1, p(")2. Определен рельеф поверхности термодинамического потенциала вблизи седловой точки, и дано описание роста паровых пузырьков в растворе с учетом его вязкости, скорости испарения молекул растворителя и растворенного вещества, скорости диффузионного подвода вещества к поверхности пузырька. Рассчитаны тензор обобщенной диффузии зародышей, декремент нарастания неустойчивой переменной, стационарная частота зародышеобразования. Результаты теории сопоставляются с опытными данными по перегреву растворов аргон-криптон |