Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (93)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (32)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (13)Публикации об УрО РАН (7)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Нанотехнологии (14)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (89)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДЕФЕКТЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Смирнов М. В., Буров Г. В., Антонов Б. Д.
Заглавие : Термическое расширение кристаллов KBr, KI и RbI при высоких температурах
Место публикации : Тр. / Ин-т электрохимии УНЦ АН СССР. - Свердловск, 1973. - Вып. 20: Электрохимия расплавленных солевых и твердых электролитов. - С. 13-15
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): расширение термическое--термическое расширение--kbr--ki--rbi--температуры высокие--высокие температуры--бромид калия--иодид калия--иодид рубидия--решетка кристаллическая--кристаллическая решетка--калий--рубидий--k--rb--дефект френкелевский--френкелевский дефект--дефекты точечные--точечные дефекты
Аннотация: Измерены параметры кристаллических решеток KBr, KI и RbI в широком интервале температур. Показано, что температурная зависимость параметра решетки описывается двумя уравнениями: от 20 до 450-550 С - второго порядка, от 450-550 С до точки плавления - третьего. Аномальное расширение решетки выше 450-550 С связано с образованием точечных дефектов двух типов, причем перед точкой плавления образуются преимущественно дефекты по Френкелю
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чеботин В. Н., Мезрин В. А.
Заглавие : Ближний порядок в твердых оксидных электролитах со структурой флюорита
Место публикации : Электрохимия. - 1984. - Т. 20, N 5. - С. 693-696. - ISSN 0424-8570. - ISSN 0424-8570
Примечания : Библиогр.: 9 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--электролиты твердые--твердые электролиты--электролиты оксидные--оксидные электролиты--структура типа флюорита--порядок ближний--ближний порядок--растворы твердые--твердые растворы--дефекты--примеси
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/К 41
Автор(ы) : Гильдерман В. К.
Заглавие : Зависимость энергии удаления кислорода из твердого электролита от потенциала блокирующего электрода ячейки O2/0.85ZrO2+0.15CaO/блокирующий электрод
Место публикации : Кинетика электродных процессов и ионно-электронный транспорт в твердых электролитах: Тез. докл. Всерос. конф. - Екатеринбург, 2000. - С. 62
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/У 69
Автор(ы) : Урицкий М. З., Цидильковский В. И., Вараксин А. Н.
Заглавие : Дефекты и перенос протонов в оксидах A(II)B(IV)1-XR(III)xO3-(дельта)
Место публикации : Физическая химия и электрохимия твёрдых электролитов. Прикладные аспекты электрохимии: XIV Российская конференция (с международным участием): тез. докл. - Екатеринбург, 2007. - Т. 2. - С. 146.: граф.
Примечания : Библиогр. в конце ст. 146
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Г 15
Автор(ы) : Галашев А. Е., Зайков Ю. П.
Заглавие : Молекулярно-динамическое изучение миграции Li+ через графеновые мембраны
Место публикации : Электрохимия. - 2015. - Т. 51, № 9. - С. 983-993
Примечания : Библиогр.: с. 992-993 (24 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--дефекты--динамика молекулярная--напряжение--подвижность
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследована пропускная способность шести вариантов набора мембран из модифицированного графена, определяющая проникновение ионов лития. Модификация включала в себя создание четырех видов пор и их частичное гидрирование. Лучшую пропускную способность демонстрирует пара мембран, поры которых представляются бивакансиями. В этом случае подвижность атомов лития по направлению движущей силы в вертикальном направлении максимальна, а в горизонтальных направлениях – минимальна. Средний уровень поднятия ионов в базовой ячейке является надежным критерием эффективности исследуемого устройства. Усиление пропускной способности мембран связано с уменьшением в них локальных напряжений, создаваемых как горизонтальными, так и вертикальными силами.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Г 15
Автор(ы) : Галашев А. Е.
Заглавие : Формирование капли ртути на поверхности графена. компьютерный эксперимент
Место публикации : Коллоидный журнал. - 2015. - Т. 77, № 5. - 593-602
Примечания : Библиогр.: с. 601-602 (39 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--подложка--газы--спектроскопия
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследован быстрый нагрев пленки ртути на графене, содержащем дефекты Стоуна–Уэйлса. Гидрированные края графенового листа выдерживали рост температуры на 800 K. По мере сворачивания пленки в каплю горизонтальная компонента коэффициента самодиффузии атомов Hg монотонно уменьшалась, а вертикальная компонента проходила через глубокий минимум, отражающий начало поднятия капли над подложкой. Формирование капли проявило себя в идущем вверх уширении вертикального профиля плотности и увеличении числа пиков в нем. При этом существенно сократилась протяженность функции радиального распределения ртути, выросла интенсивность ее первого пика. Образование капли приводит к уменьшению тупого краевого угла смачивания. Температурные изменения в графене выразились в росте интенсивности дополнительных пиков углового распределения ближайших соседей, колебательном характере напряжений, действующих в его плоскости, и почти линейном росте шероховатости.
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика