Инвентарный номер: нет.        C 91         Crystal growth of tungsten bronzes with a hexagonal structure [Text] / S. V. Vakarin, A. N. Baraboshkin, K. A. Kaliev, V. G. Zyrianov // Journal of Crystal Growth. - 1995. - V. 151, N 1-2. - P121-126. - Библиогр.: 3 назв. . - ISSN 0022-0248ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- БРОНЗЫ ВОЛЬФРАМОВЫЕ -- ВОЛЬФРАМОВЫЕ БРОНЗЫ -- РОСТ КРИСТАЛЛОВ -- РАСПЛАВЫ ВОЛЬФРАМАТНЫЕ -- ВОЛЬФРАМАТНЫЕ РАСПЛАВЫ -- 0.30K2WO4-0.25Li2WO4-0.45WO3 -- K2WO4 -- Li2WO4 -- WO3 -- K -- Li -- W -- ВОЛЬФРАМАТ КАЛИЯ -- КАЛИЙ -- ВОЛЬФРАМАТ ЛИТИЯ -- СТРУКТУРА ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ -- ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ СТРУКТУРА Аннотация: The anisotropy of the growth rate and the morphology of the potassium-lithium oxide tungsten bronze single crystals during the electrolysis in the 0.30K2WO4-0.25Li2WO4-0.45WO3 melt at 700 C under potentiostatic conditions in the overpotential range from 0 to 70 mV have been studied. An anomalous decrease in the growth rate of the {1010} face has been observed at overpotential values above 30 mV. It was decided that the process of selforganization takes place. The mechanism of such selforganization exists to be the selection of electroconductivity between separate blocks of the crystal

Инвентарный номер: 197840 -        В 14     Вакарин, С. В.     Ориентированный рост вольфрамовых бронз при электролизе расплавов [] / С. В. Вакарин. - Екатеринбург : Изд-во УрО РАН, 2005. - 111 с. - Библиогр.: с. 101-107 (148 назв.). - Б. ц.ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОРИЕНТИРОВАННЫЙ РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ВОЛЬФРАМОВЫЕ БРОНЗЫ -- БРОНЗЫ ВОЛЬФРАМОВЫЕ -- ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ Аннотация: Монография посвящена описанию ориентированного роста монокристаллов оксидных вольфрамовых бронз в процессе электрокристаллизации. Изучались свободный и конкурентный рост кристаллов. В случае свободного роста кристаллов рассматривались их огранка, морфология граней, анизотропия скоростей роста, химический состав и структура. Разработана специальная методика для определния ориентации монокристаллов непосредственно в расплаве. Показана возможность управления габитусом монокристаллов, установлены механизм конкурентного роста кристаллов разных структур, а также режимы, при которых получаются единичные монокристаллы определённой ориентации. Описан новый механизм формирования габитуса кристаллов. Предназначена для широкого круга исследователей, занимающихся изучением процессов кристаллизации.