Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 16


   
    Фазозарождение кремния на стеклоуглероде в расплаве KF-KCl-K2SIF6 / С. И. Жук, Л. М. Минченко, О. В. Чемезов, В. Б. Малков , А. В. Исаков, Ю. П. Зайков // Chimica Techno Acta . - 2015. - Vol. 2, № 1. - С. 42-51
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХРОНОАМПЕРОМЕТРИЯ -- ЗАРОЖДЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- СТЕКЛОУГЛЕРОДНАЯ ПОДЛОЖКА
Аннотация: Методом хроноамперометрии изучено зарождение кремния на стеклоуглеродной подложке в расплаве KF-KCl-K2SiF6 при температуре 675 ºС. Выявлено прогрессивное фазозарождение кремния. Из SEM-микрофотографий зародышей кремния, выращенных на стеклоуглеродной подложке в потенциостатическом режиме в интервале потенциалов от -0,005 до -0,03 В в расплаве KF-KCl-K2SiF6 при Т = 675 ºС, видно, что в условиях одного эксперимента они имеют размеры, различающиеся в несколько раз, что подтверждает прогрессирующий характер возникновения зародышей кремния. Показано, что когда к рабочему электроду при прочих равных условиях прикладывается более отрицательное значение потенциала относительно кремниевого электрода сравнения, то количество сформировавшихся зародышей на поверхности электрода растет


Инвентарный номер: нет.
   
   E 43


   
    Electrochemical nucleation and growth of silicon in the KF-KCl-K2SiF6 melt / Y. P. Zaykov, S. I. Zhuk , A. I. Isakov, O. V. Grishenkova, V. A. Isaev // Journal of Solid State Electrochemistry. - 2015. - Vol. 19, № 5. - С. 1341-1345. - Библиогр.: с. 1345 (36 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ -- ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ -- РОСТ -- ЦИКЛОТЕТРАФОСФАТ МАРГАНЦА -- ХРОНОАМПЕРОМЕТРИЯ -- КОЭФФИЦИЕНТ ДИФФУЗИИ
Аннотация: The work related to the study of the initial stages of the silicon electrodeposition on the glassy carbon electrode in molten KF-KCl-K2SiF6 was performed. The silicon nucleation and growth process was investigated using cyclic voltammetry, chronoamperometry, and scanning electron microscopy. It was shown that the electrocrystallization process occurs by the instantaneous nucleation with diffusion-controlled growth under the studied conditions. The Scharifker-Hills theoretical model was used to calculate the nucleation density and the diffusion coefficient of depositing ions.