Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (6)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (14)Изобретения уральских ученых (2)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Ивановский, А. Л.$<.>)
Общее количество найденных документов : 491
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния [] = Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - 203-209: табл. - Библиогр.: с. 209 (27 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- Si2N2O -- КРЕМНИЙ -- Si -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- СИАЛОНЫ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ -- МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ СИАЛОНЫ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура и химическая связь в гипотетическом сиалоне с орторомбической структурой оксинитрида кремния [] / Э. И. Юрьева, Г. П. Швейкин, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела: Структура, свойства и применение новых неорганических материалов: Сб. науч. тр. - 1998, Ч. 2. - С. 140-147. - Библиогр.: 20 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СИАЛОНЫ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- ОРТОРОМБИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ОРТОРОМБИЧЕСКАЯ

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) [] = Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СИАЛОНЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- УГЛЕРОД -- C -- АЛЮМИНИЙ -- Al -- ГАЛЛИЙ -- Ga -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПОДРЕШЕТКА КАТИОННАЯ -- КАТИОННАЯ ПОДРЕШЕТКА -- Si2N2O -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- КРЕМНИЙ -- Si
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si->C, Al, Ga, Be и Mg

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Физико-химические свойства оксинитрида алюминия (Обзор) [] / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Оксиды: Физико-химические свойства: 5-я Всерос. науч. конф.: Сб. тр. - 2000. - С. 516-518. - Библиогр.: 26 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ОКСИНИТРИД АЛЮМИНИЯ -- МЕТОД ЛМТО-ПАС -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ПРОВОДИМОСТЬ ТЕРМИЧЕСКАЯ -- ТЕРМИЧЕСКАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ОТЖИГ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ДОПИРОВАНИЕ -- ДОМЕНЫ ИНВЕРСИОННЫЕ -- ИНВЕРСИОННЫЕ ДОМЕНЫ -- КИСЛОРОД

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Межатомные взаимодействия примесь-матрица в системе бета-SiC:Ni(i) [] / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов: Сырье, синтез, свойства: 4-я Всерос. конф.: Тез. докл. - 2001. - С. 98-99
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- ПРИМЕСЬ-МАТРИЦА -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Ni -- НИКЕЛЬ -- СИНТЕЗ -- КЛАСТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРНОЕ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Зарядовые состояния и параметры сверхтонких взаимодействий в перовските SrFeO3 [] = Charge states and hyperfine interaction parameters in perovskite SrFeO3 / Э. И. Юрьева, В. Л. Кожевников, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2006. - Т. 47, N 3. - 565-569: ил. - Библиогр.: с. 569 (17 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФЕРРИТ СТРОНЦИЯ -- SrFeO3 -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СВЕРХТОНКОЕ -- СВЕРХТОНКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПЕРОВСКИТЫ
Аннотация: Ab initio методом дискретного варьирования в рамках кластерной модели определены параметры электронной структуры и сверхтонких взаимодействий в перовските SrFeO3 для различных типов спиновых и зарядовых состояний. Наилучшее согласие с экспериментом достигается при учете эффекта зарядового диспропорционирования {[Fe(4+)O6](8-) + [Fe(4+)O6](8-)} -> {[Fe(3+)O6](9-) + [Fe(5+)O6](7-)}

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Влияние структуры матрицы на электронное состояние примесного ванадия в широкозонных полупроводниках [] / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Химия, технология и применение ванадия: VIII всерос. конф. (г. Чусовой, 26-29 сент. 2000 г.): докл. - 2000. - С. 116-125: табл., граф. - 116-125: табл., граф. - Библиогр.: с. 120 (25 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА МАТРИЦЫ -- СОСТОЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СОСТОЯНИЕ -- ПРИМЕСИ -- ВАНАДИЙ -- V -- ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ШИРОКОЗОННЫЕ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТРУКТУРА ТИПА СФАЛЕРИТА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния [] = Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - 220-225: табл. - Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- Ti -- V -- Ni -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ
Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i)

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94


   
    Эффекты атомной релаксации и электронное строение (100) и (110) поверхностей ниобия [Текст] / К. И. Шеин, И. Р. Шеин, Н. И. Медведева, Е. В. Шалаева, М. В. Кузнецов, А. Л. Ивановский // Физика металлов и металловедение. - 2006. - Т. 102 , № 6 . - С. 648 - 654 : рис. - Библиогр. : с. 653-654 (19 назв.) . - ISSN 0015 - 32
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АТОМНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- МЕТОД VASP-PAW -- НИОБИЙ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
Аннотация: Методом VASP-PAW выполнен сравнительный анализ особенностей атомной релаксации и электронной структуры граней (100) и (110) ниобия. Релаксационные изменения межслоевых расстояний поверхностных слоев имеют осциллирующий характер, но существенно различаются для двух исследованных граней. Если для (100) грани с плотной атомной упаковкой два поверхностных слоя сжаты на 4,3 %, а релаксация оказывается значимой для трех внешних слоев, то для более "рыхлой" (100) грани эти величины составляют 13,1 % и шесть слоев соответственно. Анализ послойного распределения плотностей состояний, карты пространственного распределения зарядовой плотности плотностей состояний на уровне Ферми показывает, что наиболее существенные изменения вблизи уровня Ферми происходят для поверхности (100)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика