Поисковый запрос: (<.>A=Медведева, Н. И.$<.>) |
Общее количество найденных документов : 133
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Эффекты атомной релаксации и электронное строение (100) и (110) поверхностей ниобия/К. И. Шеин, И. Р. Шеин, Н. И. Медведева, Е. В. Шалаева, М. В. Кузнецов, А. Л. Ивановский // Физика металлов и металловедение, 2006. т.Т. 102 ,N № 6 .-С.648 - 654
|
2.
| Медведева Н. И. Эффект давления на зонную структуру и Тс сверхпроводящего MgB2/Н. И. Медведева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл., 2002.-С.142
|
3.
| Медведева Н. И. Энергетические зоны и химическая связь в антиперовскитах Ti3AlC и Ti3InC/Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996,N Ч. 1.-С.302
|
4.
| Медведева Н. И. Энергетические зоны и химическая связь в антиперовскитах Ti3AlC и Ti3InC/Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996. т.Т. 1.-С.302
|
5.
| Ивановский А. Л. Электронные свойства перовскита Ti3AlN/А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева, Д. Л. Новиков // Физика твердого тела, 1997. т.Т. 39,N N 6.-С.1035-1037
|
6.
| Медведева Н. И. Электронные свойства метастабильных Bi-сплавов в системе Ti-Al-Si-C-N-O/Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996,N Ч. 1.-С.301
|
7.
| Медведева Н. И. Электронные свойства метастабильных BI-сплавов в системе Ti-Al-Si-C-N-O/Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996. т.Т. 1.-С.301
|
8.
| Новиков Д. Л. Электронные свойства M3SiX2-фаз (M = Ti, V, Zr; X = C, N)/Д. Л. Новиков, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996,N Ч. 1.-С.308
|
9.
| Новиков Д. Л. Электронные свойства M3SiX2-фаз (M = Ti, V, Zr; X = C, N)/Д. Л. Новиков, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996. т.Т. 1.-С.308
|
10.
| Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты/Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1995. т.Т. 31,N N 1.-С.55-62
|
|
|