Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Р 93
Автор(ы) : Рыжков М. В., Новиков Д. Л., Губанов В. А.
Заглавие : Электронное строение и химическая связь в YBa2M3O7 (M = Cu, Ag, Au)
Место публикации : Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, N 4. - С. 777-781. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): строение электронное--электронное строение--связи химические--химические связи--yba2cu3o7--cu--медь--ag--серебро--au--золото--проводимость--сверхпроводимость высокотемпературная--высокотемпературная сверхпроводимость--ba--барий--зарядовая плотность--плотность зарядовая
Аннотация: Частичное или полное замещение меди в YBa2Cu3O7 на однотипные по конфигурации Ag и Au должно приводить к образованию соединений со схожим электронным строением, химическим связыванием и распределением зарядовой плотности. Вследствие уменьшения плотности состояний на уровне Ферми в соединениях с серебром, по сравнению с медью, следует ожидать, что Тс в YBa2Ag3O7 будет ниже, чем в YBa2Cu3O7, кроме того, характер проводимости в соединениях с золотом может отличаться от YBa2Cu3O7.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Кузнецов М. В., Ивановский А. Л.
Заглавие : Теоретическое исследование адсорбции азота на поверхности Ti(0001)
Параллельн. заглавия :Theoretical Study of Nitrogen Adsorption on Ti(0001) Surface
Место публикации : Физика металлов и металловедение. - 1999. - Т. 88, N 2. - С. 23-31. - ISSN 0015-3230. - ISSN 0015-3230
Примечания : Библиогр.: 24 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Линейным методом muffin-tin (МТ) орбиталей в полнопотенциальной версии (ЛМТО-ПП) проведены первопринципные расчеты систем, моделирующих процесс адсорбции N2 на поверхности Ti (0001). Построены карты зарядовой плотности и послойные плотности электронных состояний, выполнены энергетические оценки адсорбции, рассчитаны величины работы выхода и химических сдвигов внутренних электронных уровней. В согласии с экспериментом расчеты свидетельствуют об энергетической целесообразности локализации хемосорбированного азота в октаэдрических междоузлиях под поверхностным монослоем титана с формированием адсорбционной структуры (1x1)-N. Образованный в результате адсорбции поверхностный слой Ti(0001)-(1x1)-N подобен трехслойному фрагменту грани TiN(111)
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки
Параллельн. заглавия :Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 808 (16 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей
Полный текст
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ж 91
Автор(ы) : Журавлев Н. А., Дмитриев А. В., Новак П. Я.
Заглавие : ЯМР и образование волн зарядовой плотности в бета-NaxV2O5
Место публикации : Физика твердого тела. - 1990. - Т. 32, N 10. - С. 2899-2905. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--naxv2o5--na--v2o5--натрий--оксид ванадия--ядерный магнитный резонанс--волны зарядовой плотности--зарядовая плотность--плотность зарядовая
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Д 53
Автор(ы) : Дмитриев А. В., Журавлев Н. А., Волков В. Л.
Заглавие : Волна зарядовой плотности и электрические свойства одномерного проводника Na0.33V2O5 типа бета
Место публикации : Физика твердого тела. - 1990. - Т. 32, N 11. - С. 3420-3422. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--зарядовая плотность--плотность зарядовая--свойства электрические--электрические свойства--одномерные проводники--проводники одномерные
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика