Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (57)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (36)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (5)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (12)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (6)Расплавы (22)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ИНДИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-51   51-51 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Энергетические зоны и химическая связь в антиперовскитах Ti3AlC и Ti3InC
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - Т. 1. - С. 302
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): зоны энергетические--энергетические зоны--связи химические--химические связи--антиперовскиты--ti3alc--ti3inc--ti--al--c--in--титан--индий--углерод--алюминий--химия твердого тела
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 58
Автор(ы) : Рябина А. В., Кононенко В. И., Голубев С. В., Торокин В. В.
Заглавие : Влияние бария и иттербия на удельное электросопротивление и вязкость жидких сплавов галлий-индий-медь
Место публикации : Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл. - Челябинск, 1998. - Т. 2. - С. 69-70
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барий--иттербий--электросопротивление удельное--удельное электросопротивление--вязкость--сплавы жидкие--жидкие сплавы--галлий--индий--медь--ba--yb--ga--in--cu--химия
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/И 22
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Окатов С. В.
Заглавие : Электронная структура флюоритоподобных ионных проводников: твердые растворы в системах ZrO2-In2O3, ZrO2-In2O3-Tl2O3 и ZrO2-In2O3-CaO
Параллельн. заглавия :The Electronic Structure of Fluorine-Like Ionic Conductors: Solid Solutions in the ZrO2-In2O3, ZrO2-In2O3-Tl2O3 and ZrO2-In2O3-CaO Systems
Место публикации : Журнал физической химии. - 2000. - Т. 74, N 8. - С. 1433-1437. - ISSN 0044-4537. - ISSN 0044-4537
Примечания : Библиогр.: 21 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Зонным методом сильной связи в модели 24-атомной сверхячейки исследованы электронная энергетическая структура и природа химической связи во флюоритоподобных твердых растворах в системах ZrO2-In2O3, ZrO2-In2O3-Tl2O3 и ZrO2-In2O3-CaO. На основе квантово-химических расчетов показано, что наиболее устойчивыми состояниями обладают кристаллы, содержащие в своем объеме комплексы: гетеровалентные примеси (In, Tl, Ca) - кислородная вакансия. Обсуждена роль данных комплексов в нелинейном поведении ионной проводимости в фазовых превращениях в системах в зависимости от концентрации примеси. Предположено, что одним из возможных фазовых переходов является политипобразование
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Я 92
Автор(ы) : Яценко С. П., Сабирзянов Н. А., Диев В. Н.
Заглавие : Жидкометаллические теплоносители и электроконтакты
Место публикации : Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл. - Челябинск, 1998. - Т. 2. - С. 24
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теплоносители жидкометаллические--жидкометаллические теплоносители--электроконтакты--металлы жидкие--жидкие металлы--расплавы металлические--металлические расплавы--расплавы жидкие--жидкие расплавы--сплавы металлические--металлические сплавы--кристаллизация--ga--ta--in--галлий--индий--тантал
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/О-11
Автор(ы) : Кононенко В. И., Голубев С. В., Рябина А. В., Торокин В. В.
Заглавие : О строении жидких сплавов системы галлий-индий
Параллельн. заглавия :About Structure of Liquid Alloys Gallium-Indium System
Место публикации : Расплавы. - 1998. - N 6. - С. 33-37. - ISSN 0235-0106. - ISSN 0235-0106
Примечания : Библиогр.: 9 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ga-in--ga--in--вязкость--электросопротивление--натяжение поверхностное--поверхностное натяжение--плотность--сплавы жидкие--жидкие сплавы--галлий--индий--галлий-индий--температурные зависимости--зависимости температурные--системы двойные--двойные системы
Аннотация: Анализируются полученные авторами результаты экспериментальных исследований температурной зависимости вязкости, электросопротивления, поверхностного натяжения и плотности сплава галлия с 30 ат.% In. Политермы структурно-чувствительных свойств обнаруживают гистерезис, обусловленный микронеоднородным строением сплава и стремлением его компонентов к расслоению
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Сабирянов Р. Ф., Сказкин А. Н., Жуковский В. М., Швейкин Г. П.
Заглавие : Электронное строение и химическая связь в тройных гексагональных H-фазах Ti2MC(N) (M = Al, Ga, In)
Параллельн. заглавия :Electronic Structure and Bonding Configuration of the H-phases Ti2MC(N) and (M - Al, Ga, In)
Место публикации : Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, N 1. - С. 35-38. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
Примечания : Библиогр.: 8 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Самосогласованным зонным методом ЛМТО в аппроксимации перекрывающихся атомных сфер и кластерным методом МО ЛКАО в параметризации РМХ изучены особенности электронного строения гексагональных H-фаз Ti2MC, Ti2MN (M - Al, Ga, In). Сопоставляется энергетический спектр и природа химического связывания в H-фазах и иных трехкомпонентных соединениях, образующихся в системах Ti-M-C(N)
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 17
Автор(ы) : Максимова Л. Г., Денисова Т. А., Журавлев Н. А.
Заглавие : Вольфрамовые гетерополикомплексы алюминия и индия структуры Кеггина
Место публикации : Журнал неорганической химии. - 1997. - Т. 42, N 3. - С. 415-419. - ISSN 0044-457X. - ISSN 0044-457X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерополикомплексы вольфрамовые--вольфрамовые гетерополикомплексы--гетерополикомплексы алюминия--гетерополикомплексы индия--структура кеггина--кеггина структура--индий--in--al--алюминий--вольфрам--w
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/К 64
Автор(ы) : Кононенко В. И., Голубев С. В.
Заглавие : О сегрегации в объеме и на поверхности расплавов индий-галлий
Место публикации : 11-я конф. по физической химии и электрохимии расплавленных и твердых электролитов: Тез. докл. - Екатеринбург, 1998. - Т. 1: Расплавленные электролиты. - С. 50
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сегрегация--поверхности--расплавы--индий--галлий--in--ga--химия--поверхности расплавов
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 75
Автор(ы) : Воробьев Ю. П., Карбань О. В.
Заглавие : Наследственность и конкуренция дефектов в редкоземельных галлогерманиевых гранатах
Параллельн. заглавия :Defect Structure of Rare-Earth Gallium Germanium Garnets
Место публикации : Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, N 7. - С. 862-870. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
Примечания : Библиогр.: 20 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведено кристаллохимическое моделирование гранатовой структуры (распределения катионов по c-, a- и d-позициям, валентности ионов и др.). Получены полуэмпирическая зависимость параметра кристаллической решетки (a расч) от шенноновских радиусов ri катионов, заполняющих додека-, окта- и тетраузлы граната, а также экспериментальные значения a эксп. Выявлена природа дефектов элементарной ячейки, оценено их количество и предложено решение задачи о наследствености и конкуренции дефектов в редкоземельных оксидах-гранатах на основе R3Ga5O12-дельта. Показано, что в нестехиометрических Gd3-xCaxGa5-xZrxO12-дельта (0 x 0.8) (система А) дефектами являются вакансии галлия в a-позициях и Gd6(3+). Введение в систему А катионов In6(3+) вместо Ga6(3+) (система В) обусловливает образование вакансий индия вакансия 6(In). Дополнительное легирование гранатов системы В германием (Ge(4+)) существенно изменяет разновидности дефектов
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 38
Автор(ы) : Акашев Л. А., Кононенко В. И.
Заглавие : Оптические свойства жидкого сплава галлий-индий
Место публикации : Журнал технической физики. - 1998. - Т. 68, N 7. - С. 118-119. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 8 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свойства оптические--оптические свойства--сплавы жидкие--жидкие сплавы--галлий-индий--галлий--индий--метод битти--битти метод--метод эллипсометрический--эллипсометрический метод--показатель преломления--коэффициенты поглощения--проводимость световая--световая проводимость--проводимость электронная--электронная проводимость--частота релаксации--релаксация--ga--in
Аннотация: Эллипсометрическим методом Битти изучены показатель преломления и коэффициент поглощения жидких галлия и сплава галлий - 30 at.% индия в интервале длин волн 0.4-2.0 миm при температуре 373 К. По экспериментальным результатам вычислены дисперсионные зависимости световой проводимости и отражательной способности. С использованием результатов измерений в инфракрасной области спектра рассчитаны концентрация электронов проводимости и частота релаксации. Оказалось, что при введении в галлий 30 at. % индия концентрация носителей заряда не изменилась; но существено увеличивается частота релаксации электронов проводимости, а это приводит к уменьшению электропроводности жидкого сплава
Полный текст
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-51   51-51 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика