Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Юрьева Э. И. Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия, 2002. т.Т. 28,N N 12.-С.943-950: граф., табл.
|
2.
| Юрьева Э. И. Электронная структура и химическая связь примесных атомов Mn, Co в 3C-SiC/Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл.. -Екатеринбург, 2002.-С.236
|
3.
| Юрьева Э. И. Межатомные взаимодействия примесь-матрица в системе бета-SiC:Ni(i)/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов: Сырье, синтез, свойства: 4-я Всерос. конф.: Тез. докл.. -Сыктывкар, 2001.-С.98-99
|
4.
| Юрьева Э. И. Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC/Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл.. -Екатеринбург, 2002.-С.235
|
5.
| Юрьева Э. И. Исследование стабильности систем 3С-SiC:L, L=H, B, C, N, O неэмпирическим методом дискретного варьирования/Э. И. Юрьева // XVII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, Казань, 21-26 сентября 2003 г. : тез. докл.. -Казань, 2003. т.Т. 2:Достижения и перспективы химической науки.-С.455
|
6.
| Юрьева Э. И. Влияние структуры матрицы на электронное состояние примесного ванадия в широкозонных полупроводниках/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Химия, технология и применение ванадия: VIII всерос. конф. (г. Чусовой, 26-29 сент. 2000 г.): докл.. -Чусовой, 2000. т.С. 116-125: табл., граф..-С.116-125: табл., граф.
|
7.
| Юрьева Э. И. Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии, 2002. т.Т. 43,N N 2.-С.220-225: табл.
|
8.
| Юрьева Э. И. Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co/Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии, 2004. т.Т. 45,N N 2.-С.207-214: табл.
|
9.
| Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты/Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1995. т.Т. 31,N N 1.-С.55-62
|
10.
| Электронные свойства 3C-SiC, содержащего структурные дефекты/Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1995. т.Т. 31,N N 1.-С.55-62
|
|
|