Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Николаенко И. В. Оценка радиопоглощающей способности керамических образцов на основе лейкоксенового концентрата и карбида кремния/И. В. Николаенко // Демидовские чтения на Урале : тез. докл. науч. конф., Екатеринбург, март 2-3, 2006 г . -Екатеринбург, 2006.-С.185-186
|
2.
| Юрьева Э. И. Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co/Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии, 2004. т.Т. 45,N N 2.-С.207-214: табл.
|
3.
| Медведева Н. И. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения/Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников, 2003. т.Т. 37,N N 11.-С.1281-1284: табл., граф.
|
4.
| Medvedeva N. I. Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites/N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors, 2003. т.Vol. 37,N № 11.-С.1243-1246
|
5.
| Юрьева Э. И. Исследование стабильности систем 3С-SiC:L, L=H, B, C, N, O неэмпирическим методом дискретного варьирования/Э. И. Юрьева // XVII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, Казань, 21-26 сентября 2003 г. : тез. докл.. -Казань, 2003. т.Т. 2:Достижения и перспективы химической науки.-С.455
|
6.
| Николаенко И. В. Сравнительная скорость разогрева карбидов кремния разного происхождения в СВЧ-поле/И. В. Николаенко, Г. П. Швейкин // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл., 2002.-С.152
|
7.
| Юрьева Э. И. Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия, 2002. т.Т. 28,N N 12.-С.943-950: граф., табл.
|
8.
| Николаенко И. В. Химическая устойчивость микроволновой керамики системы SiC - лейкоксеновый концентрат в неорганических кислотах/И. В. Николаенко, А. П. Штин, Г. П. Швейкин // Химия в интересах устойчивого развития, 2002. т.Т. 19,N N 6.-С.777-780: табл.
|
9.
| Medvedeva N. I. Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects/N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors, 2002. т.Vol. 36,N № 7.-С.751-754
|
10.
| Юрьева Э. И. Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC/Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл.. -Екатеринбург, 2002.-С.235
|
|
|