Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура и химическая связь примесных атомов Mn, Co в 3C-SiC [] / Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 236
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Si -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КЛАСТЕРЫ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- Mn -- Co -- МАРГАНЕЦ -- КОБАЛЬТ -- ДОПИРОВАНИЕ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Межатомные взаимодействия примесь-матрица в системе бета-SiC:Ni(i) [] / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов: Сырье, синтез, свойства: 4-я Всерос. конф.: Тез. докл. - 2001. - С. 98-99
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- ПРИМЕСЬ-МАТРИЦА -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Ni -- НИКЕЛЬ -- СИНТЕЗ -- КЛАСТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРНОЕ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC [] / Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 235
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА SiC-МАТРИЦЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Si -- КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КЛАСТЕРЫ

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Исследование стабильности систем 3С-SiC:L, L=H, B, C, N, O неэмпирическим методом дискретного варьирования / Э. И. Юрьева // XVII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, Казань, 21-26 сентября 2003 г. : тез. докл. - Казань, 2003. - Т. 2: Достижения и перспективы химической науки. - С. 455
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Влияние структуры матрицы на электронное состояние примесного ванадия в широкозонных полупроводниках [] / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Химия, технология и применение ванадия: VIII всерос. конф. (г. Чусовой, 26-29 сент. 2000 г.): докл. - 2000. - С. 116-125: табл., граф. - 116-125: табл., граф. - Библиогр.: с. 120 (25 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА МАТРИЦЫ -- СОСТОЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СОСТОЯНИЕ -- ПРИМЕСИ -- ВАНАДИЙ -- V -- ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ШИРОКОЗОННЫЕ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТРУКТУРА ТИПА СФАЛЕРИТА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния [] = Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - 220-225: табл. - Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- Ti -- V -- Ni -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ
Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i)

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co [] = Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co / Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - 207-214: табл. - Библиогр.: с. 214 (16 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
SiC -- Cr -- Mn -- Fe -- Co -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ХРОМ -- МАРГАНЕЦ -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- 3C-SiC -- 3d-ПРИМЕСИ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M -> Si, Si -> i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты [] / Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62 . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- 3С-SiC

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электронные свойства 3C-SiC, содержащего структурные дефекты [] / Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62 . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- 3C-SiC -- SiC -- Si -- C -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика