Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 63

    Николаенко, И. В.
    Оценка радиопоглощающей способности керамических образцов на основе лейкоксенового концентрата и карбида кремния [Текст] / И. В. Николаенко // Демидовские чтения на Урале : тез. докл. науч. конф., Екатеринбург, март 2-3, 2006 г . - 2006. - С. 185-186. - Библиогр.: с. 186 (3 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАДИОПОГЛОЩАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ ОБРАЗЦЫ -- ЛЕЙКОКСЕНОВЫЙ КОНЦЕНТРАТ -- КАРБИД КРЕМНИЯ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co [] = Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co / Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - 207-214: табл. - Библиогр.: с. 214 (16 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
SiC -- Cr -- Mn -- Fe -- Co -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ХРОМ -- МАРГАНЕЦ -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- 3C-SiC -- 3d-ПРИМЕСИ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M -> Si, Si -> i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42

    Медведева, Н. И.
    Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C)

Полный текст
Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites / N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - P1243-1246 : il. - Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДОПИРОВАНИЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti -->Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me--> Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me--> Si, C) is studied

Полный текст
Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Исследование стабильности систем 3С-SiC:L, L=H, B, C, N, O неэмпирическим методом дискретного варьирования / Э. И. Юрьева // XVII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, Казань, 21-26 сентября 2003 г. : тез. докл. - Казань, 2003. - Т. 2: Достижения и перспективы химической науки. - С. 455
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 63

    Николаенко, И. В.
    Сравнительная скорость разогрева карбидов кремния разного происхождения в СВЧ-поле [] / И. В. Николаенко, Г. П. Швейкин // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 152
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ПОРОШКИ -- СВЧ-ПОЛЕ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕРМОХИМИЯ

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 63

    Николаенко, И. В.
    Химическая устойчивость микроволновой керамики системы SiC - лейкоксеновый концентрат в неорганических кислотах [] / И. В. Николаенко, А. П. Штин, Г. П. Швейкин // Химия в интересах устойчивого развития. - 2002. - Т. 19, N 6. - 777-780: табл. - Библиогр.: с. 780 (4 назв.) . - ISSN 0869-8538
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УСТОЙЧИВОСТЬ ХИМИЧЕСКАЯ -- ХИМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ -- МИКРОВОЛНОВАЯ КЕРАМИКА -- КЕРАМИКА МИКРОВОЛНОВАЯ -- SiC -- КОНЦЕНТРАТЫ ЛЕЙКОКСЕНОВЫЕ -- ЛЕЙКОКСЕНОВЫЕ КОНЦЕНТРАТЫ -- НЕОРГАНИЧЕСКИЕ КИСЛОТЫ -- КИСЛОТЫ НЕОРГАНИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СИНТЕЗ КЕРАМИКИ -- КЕРАМИКА -- ПОРОШКИ -- КРЕМНИЙ -- ТИТАН -- Si -- Ti
Аннотация: Установлена химическая устойчивость микроволновой керамики системы карбид кремния - лейкоксеновый концентрат в концентрированных соляной, серной и азотной кислотах. Приведены данные по синтезу керамики из порошков карбида кремния и лейкоксенового концентрата, условиям проведения испытаний по химической устойчивости керамики, интегральной потере массы и извлечению растворами кислот компонентов керамики. Установлено, что соляной кислотой извлекаются железо (10.91-68.95%) и алюминий (0.5-2.14%). Максимальная доля железа и алюминия, перешедших в серную и азотную кислоты, составляет приблизительно 1-1.85%. Интегральная потеря массы образцов в кислотах находится в пределах 0.12-1.38%. Основные элементы керамики - кремний и титан - практически не переходят в растворы кислот. Полученные результаты указывают на относительно высокую химическую стойкость керамики при контакте с концентрированными кислотами

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects / N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - P751-754 : il. - Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities

Полный текст
Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC [] / Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 235
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА SiC-МАТРИЦЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Si -- КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КЛАСТЕРЫ

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика