Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co [] = Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co / Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - 207-214: табл. - Библиогр.: с. 214 (16 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
SiC -- Cr -- Mn -- Fe -- Co -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ХРОМ -- МАРГАНЕЦ -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- 3C-SiC -- 3d-ПРИМЕСИ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M -> Si, Si -> i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites / N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - P1243-1246 : il. - Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДОПИРОВАНИЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti -->Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me--> Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me--> Si, C) is studied

Полный текст
Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   I-98

    Ivanovskii, A. L.
    Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon / A. L. Ivanovskii, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - P612-615 : il. - Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCx>L0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx>1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed

Полный текст
Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   R 42

    Rempel, A. A.
    Irradiation-induced atomic defects in SiCstudied by positron annihilation / A. A. Rempel, H. -E. Schaefer // Applied Physics A. - 1995. - Vol. 61. - P.51-53 : il. - Bibliogr. : p. 52-53 (11 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- АННИГИЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ПОЗИТРОННАЯ
Аннотация: The present paper reports on positron lifetime??measurements on atomic defects in SiC after low-temperature (80 K) electron irradiation of low (0.47 MeV) and high (2.5 MeV)electron energies and doses from 1.8 x 10 (17) to 1.9 x 10(19) e/cm 2 as well as after subsequent isochronal annealing up to 1900 K. For these studies the single crystals??of nitrogen doped (2-3 x 10(18) cm (-3) SiC grown by??a modified Lely technique with hexagonal structure (6H polytype) were used. According to the positron lifetime measurements, very different types of vacancy-like positron traps are introduced??after irradiation with electrons of either low or high??energy. The formation of defect agglomerates and their decay at high temperatures is studied during isochronal annealing and related to earlier studies

\\\\Expert2\\nbo\\Applied Physics A Materials Science and Processing\\1995, v. 61, N 1, p.51-53.pdf
Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   N 64

    Nikolaenko, I. V.
    The use of microwave radiation for synthesis of a ceramic based on silicon carbide and complex oxides: a study of physicochemical properties / I. V. Nikolaenko, G. P. Shveikin // Refractories and Industrial Ceramics. - 2001. - Vol. 42, № 7-8. - P276-279 : il. - Bibliogr. : p. 279 (6 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОВОЛНОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- КЕРАМИКА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
Аннотация: A new composite ceramic material based on silicon carbide and complex oxide is synthesized by the microwave radiation method at a frequency of 2450 MHz. The material is characterized by loss tangent tan δ = 0.072 – 0.075 and has prospective applications in radio and microwave technology. The material, owing to its radio-absorbing properties, can be used to fabricate heaters for microwave muffle furnaces

Полный текст
Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects / N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - P751-754 : il. - Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities

Полный текст
Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 64

   
    Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния [] / В. Н. Анциферов, Г. П. Швейкин, В. Д. Любимов, Н. М. Авдеева, Ю. В. Данченко, В. И. Лихтенштейн, М. В. Калачева, Н. Г. Сапожникова, Т. А. Тимощук // Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981 . - ISSN 0044-4618
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИЗ -- ПРЕВРАЩЕНИЯ ФАЗОСТРУКТУРНЫЕ -- ФАЗОСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- ПЕНОПОЛИУРЕТАН -- СМОЛА ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНАЯ -- ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНАЯ СМОЛА -- КРЕМНИЙ -- Si -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 64

   
    Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния [] / В. Н. Анциферов, Г. П. Швейкин, В. Д. Любимов, Н. М. Авдеева, Ю. В. Данченко, В. И. Лихтенштейн, М. В. Калачева, Н. Г. Сапожникова, Т. А. Тимощук // Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981 . - ISSN 0044-4618
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- ФАЗОСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ -- ПРЕВРАЩЕНИЯ ФАЗОСТРУКТУРНЫЕ -- ПЕНОПОЛИУРЕТАН-ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНАЯ СМОЛА-КРЕМНИЙ -- ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНАЯ СМОЛА -- КРЕМНИЙ -- Si -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 40

   
    Взаимодействие расплавов на основе алюминия с карбидом кремния [] / В. Н. Галактионов, В. И. Кононенко, Л. Л. Безукладникова, В. В. Торокин, С. В. Голубев // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - Т. 1. - С. 215
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСПЛАВЫ -- АЛЮМИНИЙ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ РАСПЛАВОВ -- КРЕМНИЙ -- Al -- Si -- ХИМИЯ

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 40

   
    Взаимодействие расплавов на основе алюминия с карбидом кремния [] / В. Н. Галактионов, В. И. Кононенко, Л. Л. Безукладникова, В. В. Торокин, С. В. Голубев // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - Ч. 1. - С. 215
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- РАСПЛАВЫ -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- КАРБИД КРЕМНИЯ

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика