Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Н 63
Автор(ы) : Николаенко И. В.
Заглавие : Оценка радиопоглощающей способности керамических образцов на основе лейкоксенового концентрата и карбида кремния
Место публикации : Демидовские чтения на Урале : тез. докл. науч. конф., Екатеринбург, март 2-3, 2006 г . - Екатеринбург, 2006. - С. 185-186
Примечания : Библиогр.: с. 186 (3 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радиопоглощающая способность--керамические образцы--лейкоксеновый концентрат--карбид кремния
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Параллельн. заглавия :Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - С. 207-214: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 214 (16 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M - Si, Si - i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Параллельн. заглавия :Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - С. 1281-1284: табл., граф. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1284 (19 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti- Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M- Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M-Si, C)
Полный текст
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yur`eva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites
Место публикации : Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - С. 1243-1246: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--допирование--переходные металлы
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti --Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me-- Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me-- Si, C) is studied
Полный текст
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Исследование стабильности систем 3С-SiC:L, L=H, B, C, N, O неэмпирическим методом дискретного варьирования
Место публикации : XVII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, Казань, 21-26 сентября 2003 г. : тез. докл. - Казань, 2003. - Т. 2: Достижения и перспективы химической науки. - С. 455
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--неэмпирический метод дискретного варьирования--стехиометрия
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Н 63
Автор(ы) : Николаенко И. В., Швейкин Г. П.
Заглавие : Сравнительная скорость разогрева карбидов кремния разного происхождения в СВЧ-поле
Место публикации : Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 152
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--порошки--свч-поле--электропроводность--термохимия
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide
Место публикации : Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - С. 943-950: граф., табл. - ISSN 0132-344X. - ISSN 0132-344X
Примечания : Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Н 63
Автор(ы) : Николаенко И. В., Штин А. П., Швейкин Г. П.
Заглавие : Химическая устойчивость микроволновой керамики системы SiC - лейкоксеновый концентрат в неорганических кислотах
Место публикации : Химия в интересах устойчивого развития. - 2002. - Т. 19, N 6. - С. 777-780: табл. - ISSN 0869-8538. - ISSN 0869-8538
Примечания : Библиогр.: с. 780 (4 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): устойчивость химическая--химическая устойчивость--микроволновая керамика--керамика микроволновая--sic--концентраты лейкоксеновые--лейкоксеновые концентраты--неорганические кислоты--кислоты неорганические--карбид кремния--синтез керамики--керамика--порошки--кремний--титан--si--ti
Аннотация: Установлена химическая устойчивость микроволновой керамики системы карбид кремния - лейкоксеновый концентрат в концентрированных соляной, серной и азотной кислотах. Приведены данные по синтезу керамики из порошков карбида кремния и лейкоксенового концентрата, условиям проведения испытаний по химической устойчивости керамики, интегральной потере массы и извлечению растворами кислот компонентов керамики. Установлено, что соляной кислотой извлекаются железо (10.91-68.95%) и алюминий (0.5-2.14%). Максимальная доля железа и алюминия, перешедших в серную и азотную кислоты, составляет приблизительно 1-1.85%. Интегральная потеря массы образцов в кислотах находится в пределах 0.12-1.38%. Основные элементы керамики - кремний и титан - практически не переходят в растворы кислот. Полученные результаты указывают на относительно высокую химическую стойкость керамики при контакте с концентрированными кислотами
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yuryeva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects
Место публикации : Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - С. 751-754: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--титан--ванадий--никель
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities
Полный текст
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC
Место публикации : Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - Екатеринбург, 2002. - С. 235
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура sic-матрицы--электронная структура--структура электронная--примеси--карбид кремния--sic--si--квантовохимическое моделирование--моделирование квантовохимическое--метод дискретного варьирования--кластеры
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика