Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Нанотехнологии (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КАРБИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/I-98
Автор(ы) : Ivanovskii A. L., Medvedeva N. I., Shveikin G. P.
Заглавие : Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon
Место публикации : Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - С. 612-615: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)
ISSN: 1066-5285
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--стехиометрия
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCxL0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed
Полный текст
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yur`eva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites
Место публикации : Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - С. 1243-1246: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--допирование--переходные металлы
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti --Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me-- Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me-- Si, C) is studied
Полный текст
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yuryeva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects
Место публикации : Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - С. 751-754: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--титан--ванадий--никель
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities
Полный текст
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/N 64
Автор(ы) : Nikolaenko I. V., Shveikin G. P.
Заглавие : The use of microwave radiation for synthesis of a ceramic based on silicon carbide and complex oxides: a study of physicochemical properties
Место публикации : Refractories and Industrial Ceramics. - 2001. - Vol. 42, № 7-8. - С. 276-279: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 279 (6 ref.)
ISSN: 0034-3102
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроволновое излучение --керамика--карбид кремния--сложные оксиды
Аннотация: A new composite ceramic material based on silicon carbide and complex oxide is synthesized by the microwave radiation method at a frequency of 2450 MHz. The material is characterized by loss tangent tan δ = 0.072 – 0.075 and has prospective applications in radio and microwave technology. The material, owing to its radio-absorbing properties, can be used to fabricate heaters for microwave muffle furnaces
Полный текст
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/R 42
Автор(ы) : Rempel A. A., Schaefer H.-E.
Заглавие : Irradiation-induced atomic defects in SiCstudied by positron annihilation
Место публикации : Applied Physics A. - 1995. - Vol. 61. - С. P.51-53: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 52-53 (11 ref.)
ISSN: 1432-0630
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--аннигиляция электронно-позитронная
Аннотация: The present paper reports on positron lifetime??measurements on atomic defects in SiC after low-temperature (80 K) electron irradiation of low (0.47 MeV) and high (2.5 MeV)electron energies and doses from 1.8 x 10 (17) to 1.9 x 10(19) e/cm 2 as well as after subsequent isochronal annealing up to 1900 K. For these studies the single crystals??of nitrogen doped (2-3 x 10(18) cm (-3) SiC grown by??a modified Lely technique with hexagonal structure (6H polytype) were used. According to the positron lifetime measurements, very different types of vacancy-like positron traps are introduced??after irradiation with electrons of either low or high??energy. The formation of defect agglomerates and their decay at high temperatures is studied during isochronal annealing and related to earlier studies
\\\\Expert2\\nbo\\Applied Physics A Materials Science and Processing\\1995, v. 61, N 1, p.51-53.pdf
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 64
Автор(ы) : Анциферов В. Н., Швейкин Г. П., Любимов В. Д., Авдеева Н. М., Данченко Ю. В., Лихтенштейн В. И., Калачева М. В., Сапожникова Н. Г., Тимощук Т. А.
Заглавие : Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния
Место публикации : Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981. - ISSN 0044-4618. - ISSN 0044-4618
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ--превращения фазоструктурные--фазоструктурные превращения--системы тройные--тройные системы--пенополиуретан--смола фенолформальдегидная--фенолформальдегидная смола--кремний--si--карбид кремния--sic
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 64
Автор(ы) : Анциферов В. Н., Швейкин Г. П., Любимов В. Д., Авдеева Н. М., Данченко Ю. В., Лихтенштейн В. И., Калачева М. В., Сапожникова Н. Г., Тимощук Т. А.
Заглавие : Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния
Место публикации : Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981. - ISSN 0044-4618. - ISSN 0044-4618
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--фазоструктурные превращения--превращения фазоструктурные--пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний--фенолформальдегидная смола--кремний--si--тройные системы--системы тройные--карбид кремния
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 40
Автор(ы) : Галактионов В. Н., Кононенко В. И., Безукладникова Л. Л., Торокин В. В., Голубев С. В.
Заглавие : Взаимодействие расплавов на основе алюминия с карбидом кремния
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - Т. 1. - С. 215
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): расплавы--алюминий--карбид кремния--взаимодействие расплавов--кремний--al--si--химия
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 40
Автор(ы) : Галактионов В. Н., Кононенко В. И., Безукладникова Л. Л., Торокин В. В., Голубев С. В.
Заглавие : Взаимодействие расплавов на основе алюминия с карбидом кремния
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - Ч. 1. - С. 215
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--расплавы--al--алюминий--карбид кремния
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 40
Автор(ы) : Цветков В. Б., Сухман А. Л., Галактионов В. Н., Зайнулин Ю. Г., Пахолков В. В., Золкин П. И., Костиков В. И., Швейкин Г. П.
Заглавие : Взаимодействие сплавов алюминия, легированных редкоземельными металлами с карбидом кремния
Место публикации : Московская междунар. конф. по композитам (14-16 нояб. 1990 г.): Тез. докл. - М., 1990. - Ч. 1. - С. 94-95
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--al--алюминий--сплавы алюминия--карбид кремния--легирование--металлы редкоземельные--редкоземельные металлы--рзм
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-42 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика