Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Нанотехнологии (50)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 79
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронные свойства метастабильных BI-сплавов в системе Ti-Al-Si-C-N-O
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - Т. 1. - С. 301
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свойства электронные--электронные свойства--сплавы--ti--al--si--c--n--o--титан--алюминий--кремний--углерод--азот--кислород--химия твердого тела--системы многокомпонентные--многокомпонентные системы
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Медведева Н. И., Гертнер Ж. В., Красковская В. В., Жуковский В. М., Ивановский А. Л., Швейкин Г. П.
Заглавие : Электронные свойства 3C-SiC, содержащего структурные дефекты
Место публикации : Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свойства электронные--электронные свойства--3c-sic--sic--si--c--карбид кремния--кремний--дефекты структурные--структурные дефекты
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/И 22
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Медведева Н. И.
Заглавие : Электронное строение метастабильных кубических твердых растворов в системе Ti-Al-Si-C-N-O
Место публикации : Журнал неорганической химии. - 1997. - Т. 42, N 5. - С. 789-799. - ISSN 0044-457X. - ISSN 0044-457X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): строение электронное--электронное строение--растворы твердые--твердые растворы--растворы кубические--кубические растворы--растворы метастабильные--метастабильные растворы--метод лмто-пас--структура зонная--зонная структура--спектры электронно-энергетические--электронно-энергетические спектры--системы многокомпонентные--многокомпонентные системы--сплавы--дефекты структурные--структурные дефекты--ti--титан--al--алюминий--si--кремний
Аннотация: Самосогласованным методом ЛМТО-ПАС в модели восьмиатомной суперъячейки исследованы зонная структура и параметры электронно-энергетического спектра многокомпонентных кубических твердых растворов в системе Ti-Al-Si-C-N-O. Получены полные и локальные плотности состояний сплавов, обсуждены зависимости энергии сцепления от состава твердых растворов, рассмотрено воздействие на их электронные свойства структурных дефектов (вакансий по N-подрешетке). Результаты использованы для интерпретации и прогноза относительной стабильности оксикарбонитридных твердых растворов, содержащих 3d-элементы замещения
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/И 22
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Окатов С. В., Швейкин Г. П.
Заглавие : Электронная структура, химическая связь и эффекты атомного упорядочения в многокомпонентных фазах в системе Si-Al-O-N
Параллельн. заглавия :Electronic Structure, Chemical Bonding and Atomic Ordering in Multicomponent Solid Solutions in the Si-Al-O-N System
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2000. - Т. 374, N 6. - С. 792-797. - ISSN 0869-5733. - ISSN 0869-5733
Примечания : Библиогр.: 9 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - С. 203-209: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 209 (27 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Параллельн. заглавия :Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - С. 1281-1284: табл., граф. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1284 (19 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti- Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M- Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M-Si, C)
Полный текст
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Губанов В. А., Зацепин А. Ф., Кортов В. С., Фрейдман С. П., Черлов Г. Б.
Заглавие : Электронная структура кислородновакансионных дефектов в диоксиде кремния
Место публикации : Журнал прикладной спектроскопии. - 1988. - Т. 49, N 1. - С. 97-102. - ISSN 0514-7506. - ISSN 0514-7506
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--структура электронная--электронная структура--кислородновакансионные дефекты--дефекты кислородновакансионные--диоксид кремния--кремний--si
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/И 22
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Медведева Н. И., Швейкин Г. П.
Заглавие : Электронная структура карбида кремния, содержащего сверхстехиометрический углерод
Место публикации : Известия РАН. Сер. химическая . - 1999. - N 3. - С. 618-621. - ISSN 0002-3353. - ISSN 0002-3353
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура электронная--электронная структура--карбид кремния--углерод сверхстехиометрический--сверхстехиометрический углерод--взаимодействие атомов--алмазы--кремний--si
Аннотация: Самосогласованным линеаризованным методом "muffin-tin"-орбиталей изучена электронная структура сверхстехиометрического карбида кремния. В присутствии сверхстехиометрического углерода изменяется характер взаимодействия атомов кремния и углерода и возникают дополнительные связи, характерные для алмаза
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Н 63
Автор(ы) : Николаенко И. В., Штин А. П., Швейкин Г. П.
Заглавие : Химическая устойчивость микроволновой керамики системы SiC - лейкоксеновый концентрат в неорганических кислотах
Место публикации : Химия в интересах устойчивого развития. - 2002. - Т. 19, N 6. - С. 777-780: табл. - ISSN 0869-8538. - ISSN 0869-8538
Примечания : Библиогр.: с. 780 (4 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): устойчивость химическая--химическая устойчивость--микроволновая керамика--керамика микроволновая--sic--концентраты лейкоксеновые--лейкоксеновые концентраты--неорганические кислоты--кислоты неорганические--карбид кремния--синтез керамики--керамика--порошки--кремний--титан--si--ti
Аннотация: Установлена химическая устойчивость микроволновой керамики системы карбид кремния - лейкоксеновый концентрат в концентрированных соляной, серной и азотной кислотах. Приведены данные по синтезу керамики из порошков карбида кремния и лейкоксенового концентрата, условиям проведения испытаний по химической устойчивости керамики, интегральной потере массы и извлечению растворами кислот компонентов керамики. Установлено, что соляной кислотой извлекаются железо (10.91-68.95%) и алюминий (0.5-2.14%). Максимальная доля железа и алюминия, перешедших в серную и азотную кислоты, составляет приблизительно 1-1.85%. Интегральная потеря массы образцов в кислотах находится в пределах 0.12-1.38%. Основные элементы керамики - кремний и титан - практически не переходят в растворы кислот. Полученные результаты указывают на относительно высокую химическую стойкость керамики при контакте с концентрированными кислотами
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg)
Параллельн. заглавия :Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg)
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: 28 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si-C, Al, Ga, Be и Mg
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика