Поисковый запрос: (<.>K=ОКСИД КРЕМНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| TiO2-SiO2 Binary Xerogels: Synthesis and Characterization/Yu. V. Mikushina, A. B. Shishmakov, N. I. Matskevich, N. A. Zhuravlev, O. V. Koryakova, V. G. Kharchuk, L. A. Petrov // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2008. т.Vol. 53,N № 10.-С.1557-1560
|
2.
| Газотермические покрытия на основе полидисперсного порошка TiO2-SiO2-Al2O3-ZrO2/Г. П. Швейкин, Н. А. Руденская, В. А. Копысов, В. А. Жиляев, В. Г. Зубков // Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов: Сырье, синтез, свойства: 4-я Всерос. конф.: Тез. докл.. -Сыктывкар, 2001.-С.145-146
|
3.
| Снегирев А. И. Технология производства и свойства сферических гранул в системе MgO-Al2O3-SiO2/А. И. Снегирев, Б. В. Слободин // Огнеупоры и техническая керамика, 1998,N N 10.-С.21-23
|
4.
| Швейкин Г. П. Исследование и разработка нагревателей для муфельных микроволновых печей из радиопоглощающей керамики/Г. П. Швейкин, В. Г. Смирнова, И. В. Николаенко // Физико-химические проблемы создания керамики специального и общего назначения на основе синтетических и природных материалов: Всерос. конф. (Сыктывкар, 4-7 сент. 1997 г.): Тез. докл.. -Сыктывкар, 1997.-С.63
|
5.
| Устойчивые фазовые состояния системы TiO2-SiO2-C в условиях вакуума/Г. П. Швейкин, П. В. Истомин, В. А. Голдин, Ю. И. Рябков // Доклады Академии наук, 1996. т.Т. 350,N N 2.-С.223-225
|
6.
| Синтез пенокарбидов кремния карботермическим восстановлением SiO2 в азоте/М. В. Калачева, В. Д. Любимов, В. А. Цхай, Г. П. Швейкин // Журнал неорганической химии, 1993. т.Т. 38,N N 12.-С.1963-1969
|
7.
| Люминофоры с длительным временем после свечения в системе BaO-SiO2-Dy2O3/Н. П. Ефрюшина, О. А. Шамшурина, Е. А. Жихарева, В. А. Фотиев, М. Г. Зуев // Неорганические материалы, 1993. т.Т. 29,N N 3.-С.383-385
|
8.
| Пенокарбидные материалы/А. Д. Митрофанов, В. Д. Любимов, А. И. Манаков, Г. П. Швейкин // Карбиды и материалы на их основе. -Киев, 1991.-С.71-75
|
9.
| Моделирование процесса окисления ванадиевых шлаков/А. А. Фотиев, С. В. Стрепетов, В. Г. Добош, Е. М. Рабинович. - 1991
|
10.
| Рентгеноэлектронное исследование влияния поверхностного SiO2 на профиль распределения As+, имплантированного в Si при электронном отжиге/Д. П. Фриккель, Ю. Ф. Журавлев, М. В. Кузнецов, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Спектроскопические методы анализа поверхности аморфных и жидких металлов: Школа-семинар (Челябинск, 21-26 мая 1990 г.): Тез. докл.. -Челябинск, 1990.-С.15-16
|
|
|