Поисковый запрос: (<.>K=ОКСИД КРЕМНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| TiO2-SiO2 Binary Xerogels: Synthesis and Characterization/Yu. V. Mikushina, A. B. Shishmakov, N. I. Matskevich, N. A. Zhuravlev, O. V. Koryakova, V. G. Kharchuk, L. A. Petrov // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2008. т.Vol. 53,N № 10.-С.1557-1560
|
2.
| Ершова Л. А. Взаимодействие оксидов алюминия и кремния в присутствии криолита/Л. А. Ершова, В. Г. Бамбуров, Т. К. Протопопова // Известия Академии наук СССР. Сер. Неорганические материалы, 1986. т.Т. 22,N N 12.-С.2001-2004
|
3.
| Газотермические покрытия на основе полидисперсного порошка TiO2-SiO2-Al2O3-ZrO2/Г. П. Швейкин, Н. А. Руденская, В. А. Копысов, В. А. Жиляев, В. Г. Зубков // Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов: Сырье, синтез, свойства: 4-я Всерос. конф.: Тез. докл.. -Сыктывкар, 2001.-С.145-146
|
4.
| Швейкин Г. П. Исследование и разработка нагревателей для муфельных микроволновых печей из радиопоглощающей керамики/Г. П. Швейкин, В. Г. Смирнова, И. В. Николаенко // Физико-химические проблемы создания керамики специального и общего назначения на основе синтетических и природных материалов: Всерос. конф. (Сыктывкар, 4-7 сент. 1997 г.): Тез. докл.. -Сыктывкар, 1997.-С.63
|
5.
| Люминофоры с длительным временем после свечения в системе BaO-SiO2-Dy2O3/Н. П. Ефрюшина, О. А. Шамшурина, Е. А. Жихарева, В. А. Фотиев, М. Г. Зуев // Неорганические материалы, 1993. т.Т. 29,N N 3.-С.383-385
|
6.
| Моделирование процесса окисления ванадиевых шлаков/А. А. Фотиев, С. В. Стрепетов, В. Г. Добош, Е. М. Рабинович. - 1991
|
7.
| Ершова Л. А. О взаимодействии оксидов алюминия и кремния в присутствии фторалюминатов натрия/Л. А. Ершова, В. Г. Бамбуров, Н. Ф. Исмагилова // 4-е Всесоюз. совещ. по химии твердого тела: Тез. докл.. -Свердловск, 1985,N Ч. 2.-С.77
|
8.
| Пенокарбидные материалы/А. Д. Митрофанов, В. Д. Любимов, А. И. Манаков, Г. П. Швейкин // Карбиды и материалы на их основе. -Киев, 1991.-С.71-75
|
9.
| Рентгеноэлектронное исследование влияния поверхностного SiO2 на профиль распределения As+, имплантированного в Si при электронном отжиге/Д. П. Фриккель, Ю. Ф. Журавлев, М. В. Кузнецов, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Спектроскопические методы анализа поверхности аморфных и жидких металлов: Школа-семинар (Челябинск, 21-26 мая 1990 г.): Тез. докл.. -Челябинск, 1990.-С.15-16
|
10.
| Журавлев Ю. Ф. Рентгеноэлектронное исследование фосфатных стекол, содержащих оксиды алюминия, бора, кремния, титана/Ю. Ф. Журавлев, В. К. Слепухин // Квантовая химия и спектроскопия твердого тела: 2-я Всесоюз. конф. (Свердловск, 18-20 февр. 1986 г.): Тез. докл.. -Свердловск, 1986.-С.142
|
|
|