Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - С. 203-209: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 209 (27 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Швейкин Г. П., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура и химическая связь в гипотетическом сиалоне с орторомбической структурой оксинитрида кремния
Место публикации : Химия твердого тела: Структура, свойства и применение новых неорганических материалов: Сб. науч. тр. - Екатеринбург, 1998, Ч. 2. - С. 140-147
Примечания : Библиогр.: 20 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура электронная--электронная структура--сиалоны--связи химические--химические связи--оксинитрид кремния--свойства электронные--электронные свойства--орторомбическая структура--структура орторомбическая
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg)
Параллельн. заглавия :Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg)
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: 28 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si-C, Al, Ga, Be и Mg
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 54
Автор(ы) : Кузнецов М. В., Шалаева Е. В., Борисов С. В., Медведева Н. И., Митрофанов Б. В., Ивановский А. Л., Швейкин Г. П.
Заглавие : Метастабильные кубические твердые растворы TiSiN(C, O):синтез, экспериментальное и теоретическое исследование
Место публикации : Журнал неорганической химии. - 1998. - Т. 43, N 2. - С. 217-228. - ISSN 0044-457X. - ISSN 0044-457X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): растворы метастабильные--метастабильные растворы--растворы кубические--кубические растворы--растворы твердые--твердые растворы--синтез--ti--si--n--c--o--титан--кремний--карбонитрид титана--оксинитрид титана--карбонитрид кремния--оксинитрид кремния
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ш 34
Автор(ы) : Швейкин Г. П., Концевой О. Ю.
Заглавие : Квантовохимическое моделирование фундаментальных свойств новых керамических материалов на основе бета-Si3N4
Место публикации : Физико-химические проблемы создания керамики специального и общего назначения на основе синтетических и природных материалов: Всерос. конф. (Сыктывкар, 4-7 сент. 1997 г.): Тез. докл. - Сыктывкар, 1997. - С. 62
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование квантовохимическое--квантовохимическое моделирование--материалы керамические--керамические материалы--бета-сиалоны--бета-сибеоны--be--бериллий--расчеты неэмпирические--неэмпирические расчеты--свойства электронные--электронные свойства--системы многокомпонентные--многокомпонентные системы--оксинитрид кремния--оксинитрид германия--оксинитрид углерода--спектры энергетические--энергетические спектры--прочность--термохимия--si--ge--al--кремний--германий--алюминий
Аннотация: Представлены результаты неэмпирических расчетов фундаментальных электронных свойств многокомпонентных соединений в системах Si-N-(Al, Ge, C, O). Наряду с оксинитридами кремния, германия (составы Si2N2O, Ge2N2O) впервые рассмотрен изоструктурный гипотетический оксинитрид углерода "C2N2O", который, согласно эмпирической модели, может обладать необычными прочностными и термическими характеристиками. Получены данные по электронным состояниям и энергетическим спектрам бета-сиалонов и бета-сибеонов. Проведен теоретический прогноз свойств гипотетических фаз состава C5AlON7 и C5BeON7
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Влияние структуры матрицы на электронное состояние примесного ванадия в широкозонных полупроводниках
Место публикации : Химия, технология и применение ванадия: VIII всерос. конф. (г. Чусовой, 26-29 сент. 2000 г.): докл. - Чусовой, 2000. - С. 116-125: табл., граф. - С. 116-125: табл., граф.
Примечания : Библиогр.: с. 120 (25 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура матрицы--состояние электронное--электронное состояние--примеси--ванадий--v--широкозонные полупроводники--полупроводники широкозонные--оксинитрид кремния--карбид кремния--структура типа сфалерита--связи химические--химические связи
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Ivanovskii A. L., Shveikin G. P.
Заглавие : The electronic structure of A2N2O, A = Si, C, Ge
Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.21
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): керамика--si--кремний--ge--германий--структура электронная--электронная структура--si2n2o--оксинитрид кремния--c2n2o--ge2n2o--оксинитрид германия--свойства электрофизические--электрофизические свойства--свойства механические--механические свойства--свойства термические--термические свойства--лмто метод--сопротивление термическое--термическое сопротивление
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика