Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Нанотехнологии (21)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-26 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   S 46


   
    Semiconductor-metal transition in defect lithium cobaltite [Текст] / D. G. Kellerman, V. R. Galakhov, A. S. Semenova, Ya. N. Blinovskov, O. N. Leonidova // Physics of the Solid State. - 2006. - Vol. 48, № 3. - С. 548-556. - Библиогр. : с. 555 (36 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЕРЕХОД ПОЛУПРОВОДНИК - МЕТАЛЛ -- КОБАЛЬТИТ ЛИТИЯ
Аннотация: The magnetic susceptibility, electrical conductivity, and x-ray photoelectron and x-ray absorption spectra of defect lithium cobaltites of the general formula Li1−xCoO2 are investigated. It is found that, for lithium cobaltites with x> 0.25, the magnetic susceptibility increases abruptly and the conductivity type changes at T~ 150 K. The assumption is made that the semiconductor–metal transition in defect lithium cobaltite is caused by the increase in the diffusion mobility of lithium ions with an increase in the temperature when there is a correlation between spatial distributions of lithium vacancies and “electron” holes

Полный текст
Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 23


    Банников, В. В.
    Фазовые переходы полупроводник-металл и полупроводник-магнитный полуметалл в слоистом SrAgSeF при допировании атомами кислорода и азота / В. В. Банников, А. Л. Ивановский // Письма в Журнал технической физики. - 2012. - Т. 38, № 22. - С. 71-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (15 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ -- SrAgSeF -- ДОПИРОВАНИЕ
Аннотация: На основе ab initio зонных расчетов установлено, что для слоистого немагнитного полупроводника SrAgSeF, включающего блоки [SrF]/[AgSe], частичное замещение O-> F приводит к фазовому переходу полупроводник-металл за счет " металлизации" блоков [AgSe], и допированная фаза SrAgSeF1-xOx представляет собой периодическую структуру металл/полупроводник, образованную чередующимися проводящими и полупроводниковыми блоками: [AgSe] и [SrF1-xOx] соответственно. Наоборот, частичное замещение N-> F индуцирует фазовый переход полупроводник-магнитный полуметалл, и система SrAgSeF1-xNx может представить интерес как новый материал для спинтроники

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 83


    Борухович, А. С.
    Магнитный полупроводник в сверхпроводящем туннельном переходе [] / А. С. Борухович, В. Г. Бамбуров // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл. - 1990. - Ч. 1. - С. 39
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ МАГНИТНЫЕ -- СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОДЫ СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ -- ТУННЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОДЫ ТУННЕЛЬНЫЕ

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 83


    Борухович, А. С.
    Магнитный полупроводник в сверхпроводящем туннельном переходе [] / А. С. Борухович, В. Г. Бамбуров // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл. - 1990. - Ч. 1. - С. 39
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ МАГНИТНЫЕ -- СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 83


    Борухович, А. С.
    Материалы и структуры полупроводниковой спиновой электроники [Текст] = Materials and structures of semiconductor spin electronics / А. С. Борухович // Перспективные материалы. - 2006. - № 4. - С. 23-31 : рис., табл. - Библиогр.: с. 31 (21 назв.) . - ISSN 1028-978Х
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПИНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК / ПОЛУПРОВОДНИК -- СПИНОВОЙ ТОКОПЕРЕНОС
Аннотация: Исследованы структуры спиновой электроники - контакты ферромагнитный полупроводник/полупроводник. Показаны новые физические возможности полупроводниковой спиновой электроники. Сформулированы отличительные физические признаки спиновой электроники, выделяющей ее на фоне ныне существующей электроники только зарядового токопереноса. Названы основные физические требования для осуществления устойчивого спинового токопереноса в таких контактах. Перечислены материалы, на базе которых уже созданы подобные структуры, в том числе, для осуществления спинового токопереноса при повышенных температурах

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 83


    Борухович, А. С.
    Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитные полупроводники [] = Quantum tunneling multilayers and heterostructures with ferromagnetic semiconductors / А. С. Борухович // Успехи физических наук. - 1999. - Т. 169, N 7. - С. 737-751. - Библиогр.: 69 назв. . - ISSN 0042-1294
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТУННЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВОЕ -- КВАНТОВОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- МУЛЬТИСЛОИ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФИЛЬТРАЦИЯ СПИНОВАЯ -- СПИНОВАЯ ФИЛЬТРАЦИЯ -- МИКРОМАГНИТОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Впервые в полном объеме представлены имеющиеся экспериментальные результаты, свидетельствующие о необычных возможностях квантового туннелирования квазичастиц в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитный полупроводник. Осуществление на практике парного или одночастичного туннелирования в подобных структурах способствует как развитию метода туннельной спектроскопии ферромагнитно упорядоченных материалов, так и созданию на основе присущих этим структурам эффектов - спиновой фильтрации, перестраиваемой магнитным полем вольтамперной характеристики и ряда других - нового поколения необычных криоэлектронных устройств твердотельной микромагнитоэлектроники, в том числе миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов

Полный текст
Найти похожие

7.
Инвентарный номер: 196684 - кх.
   539.2
   Б 83


    Борухович, А. С.
    Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники [] / А. С. Борухович. - Екатеринбург : Изд-во УрО РАН, 2004. - 176 с. - Библиогр.: в конце гл. - Б. ц.
ББК 54
РУБ 539.2
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПИНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭЛЕКТРОНИКА СПИНОВАЯ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- НЕМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ НЕМАГНИТНЫЕ -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ -- СПЕКТРОСКОПИЯ
Аннотация: Излагаются теоретические предпосылки и физические принципы работы сверхпроводящих и полупроводниковых устройств спиновой электроники, выполненных на элементной базе гетероструктур и мультислоев сверхпроводник/ферромагнитный полупроводник (ФП), ФП/немагнитный полупроводник (П), ферромагнитный металл (ФМ)/П. Даны фундаментальные электронные и магнитные характеристики этих материалов, способы их получения в компактном, монокристаллическом и пленочном состояниях. Приводятся способы создания и результаты изучения физических параметров сверхпроводящих туннельных переходов Джозефсона с барьером, выполненным из ФП, а также контактов ФП/П, в которых осуществлены спиновой токоперенос и инжекция спинов носителей определенной ориентации в полупроводник. Показаны новые физические возможности подобных структур как для спиновой криоэлектроники, так и субмиллиметровой спектроскопии твердого тела и устройств спиновой информатики, а также для создания твердотельного лазера миллиметрового и
субмиллиметрового диапазонов

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние высокого давления на свойства Ti3O5 в области фазового перехода полупроводник-металл [] / Д. Г. Келлерман, В. А. Переляев, Ю. Г. Зайнулин, С. И. Алямовский // 3-е Всесоюзное совещание по химии твердого тела, Свердловск 2-4 июня 1981 г.: тез. докл. - 1981. - Т. 3. - С. 81
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- Ti3O5 -- ВЫСОКОЕ ДАВЛЕНИЕ -- ДАВЛЕНИЕ ВЫСОКОЕ -- ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ -- ПОЛУПРОВОДНИК -- МЕТАЛЛЫ

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 61


    Головкин, Б. Г.
    Синтез и терморезистивные свойства FePV18O40 [] / Б. Г. Головкин, В. Л. Волков, А. М. Тибогайкин // Химия, технология, промышленная экология неорганических соединений. - 1999. - N 2. - С. 19-23
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИНТЕЗ -- ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЕ -- СВОЙСТВА ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЕ -- ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА -- FePV18O40 -- Fe -- V -- ЖЕЛЕЗО -- ВАНАДИЙ -- ПЕРЕХОДЫ ФАЗОВЫЕ -- ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОД ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ -- P -- ФОСФОР
Аннотация: Синтезирован терморезистивный материал FePV18O40, испытывающий фазовый переход полупроводник-металл при 331 К и температурном коэффициенте сопротивления 200 % K. Предложен критерий эффективности работы терморезистивного материала

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 64


    Еняшин, А. Н.
    Атомные дефекты стенок и электронное строение нанотрубок дисульфида молибдена [Текст] = Atomic defects of the walls and electronic structure of molybdenium disulfide nanotubes / А. Н. Еняшин, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 1. - С. 82-87 : рис., табл. - Библиогр.: с. 87 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АТОМНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- ДИСУЛЬФИД МОЛИБДЕНА -- НАНОТРУБКИ
Аннотация: Зонным методом функционала зарядовой плотности-сильной связи впервые изучено влияние различных типов атомных дефектов стенок нанотрубок MoS2 на их структурные и электронные свойства. Обнаружено, что возникновение в стенках MoS2 трубок атомных дефектов может обусловить переходы полупроводник-металл

Полный текст
Найти похожие

 1-10    11-20   21-26 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика