Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Нанотехнологии (21)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-26 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/S 46
Автор(ы) : Kellerman D. G., Galakhov V. R., Semenova A. S., Blinovskov Ya. N., Leonidova O. N.
Заглавие : Semiconductor-metal transition in defect lithium cobaltite
Место публикации : Physics of the Solid State. - 2006. - Vol. 48, № 3. - С. 548-556
Примечания : Библиогр. : с. 555 (36 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): переход полупроводник - металл--кобальтит лития
Аннотация: The magnetic susceptibility, electrical conductivity, and x-ray photoelectron and x-ray absorption spectra of defect lithium cobaltites of the general formula Li1−xCoO2 are investigated. It is found that, for lithium cobaltites with x 0.25, the magnetic susceptibility increases abruptly and the conductivity type changes at T~ 150 K. The assumption is made that the semiconductor–metal transition in defect lithium cobaltite is caused by the increase in the diffusion mobility of lithium ions with an increase in the temperature when there is a correlation between spatial distributions of lithium vacancies and “electron” holes
Полный текст
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Б 23
Автор(ы) : Банников В. В., Ивановский А. Л.
Заглавие : Фазовые переходы полупроводник-металл и полупроводник-магнитный полуметалл в слоистом SrAgSeF при допировании атомами кислорода и азота
Место публикации : Письма в Журнал технической физики. - 2012. - Т. 38, № 22. - С. 71-77: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 76-77 (15 назв.)
ISSN: 0320-0116
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фазовые переходы--полупроводник-металл--sragsef--допирование
Аннотация: На основе ab initio зонных расчетов установлено, что для слоистого немагнитного полупроводника SrAgSeF, включающего блоки [SrF]/[AgSe], частичное замещение O- F приводит к фазовому переходу полупроводник-металл за счет " металлизации" блоков [AgSe], и допированная фаза SrAgSeF1-xOx представляет собой периодическую структуру металл/полупроводник, образованную чередующимися проводящими и полупроводниковыми блоками: [AgSe] и [SrF1-xOx] соответственно. Наоборот, частичное замещение N- F индуцирует фазовый переход полупроводник-магнитный полуметалл, и система SrAgSeF1-xNx может представить интерес как новый материал для спинтроники
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Б 83
Автор(ы) : Борухович А. С., Бамбуров В. Г.
Заглавие : Магнитный полупроводник в сверхпроводящем туннельном переходе
Место публикации : Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл. - Свердловск; Одесса, 1990. - Ч. 1. - С. 39
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--магнитные полупроводники--полупроводники магнитные--сверхпроводящие переходы--переходы сверхпроводящие--туннельные переходы--переходы туннельные
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Б 83
Автор(ы) : Борухович А. С., Бамбуров В. Г.
Заглавие : Магнитный полупроводник в сверхпроводящем туннельном переходе
Место публикации : Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл. - Свердловск; Одесса, 1990. - Ч. 1. - С. 39
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--магнитные полупроводники--полупроводники магнитные--сверхпроводящие туннельные переходы
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Б 83
Автор(ы) : Борухович А. С.
Заглавие : Материалы и структуры полупроводниковой спиновой электроники
Параллельн. заглавия :Materials and structures of semiconductor spin electronics
Место публикации : Перспективные материалы. - 2006. - № 4. - С. 23-31: рис., табл. - ISSN 1028-978Х. - ISSN 1028-978Х
Примечания : Библиогр.: с. 31 (21 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы структуры спиновой электроники - контакты ферромагнитный полупроводник/полупроводник. Показаны новые физические возможности полупроводниковой спиновой электроники. Сформулированы отличительные физические признаки спиновой электроники, выделяющей ее на фоне ныне существующей электроники только зарядового токопереноса. Названы основные физические требования для осуществления устойчивого спинового токопереноса в таких контактах. Перечислены материалы, на базе которых уже созданы подобные структуры, в том числе, для осуществления спинового токопереноса при повышенных температурах
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Б 83
Автор(ы) : Борухович А. С.
Заглавие : Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитные полупроводники
Параллельн. заглавия :Quantum tunneling multilayers and heterostructures with ferromagnetic semiconductors
Место публикации : Успехи физических наук. - 1999. - Т. 169, N 7. - С. 737-751. - ISSN 0042-1294. - ISSN 0042-1294
Примечания : Библиогр.: 69 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Впервые в полном объеме представлены имеющиеся экспериментальные результаты, свидетельствующие о необычных возможностях квантового туннелирования квазичастиц в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитный полупроводник. Осуществление на практике парного или одночастичного туннелирования в подобных структурах способствует как развитию метода туннельной спектроскопии ферромагнитно упорядоченных материалов, так и созданию на основе присущих этим структурам эффектов - спиновой фильтрации, перестраиваемой магнитным полем вольтамперной характеристики и ряда других - нового поколения необычных криоэлектронных устройств твердотельной микромагнитоэлектроники, в том числе миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов
Полный текст
Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/Б 83
Автор(ы) : Борухович А. С.
Заглавие : Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники
Выходные данные : Екатеринбург: Изд-во УрО РАН, 2004
Колич.характеристики :176 с.
Примечания : Библиогр.: в конце гл.
Цена : Б.ц.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спиновая электроника--электроника спиновая--сверхпроводимость--полупроводники--гетероструктура--полупроводники ферромагнитные--ферромагнитные полупроводники--немагнитные полупроводники--полупроводники немагнитные--ферромагнитные металлы--металлы ферромагнитные--спектроскопия
Аннотация: Излагаются теоретические предпосылки и физические принципы работы сверхпроводящих и полупроводниковых устройств спиновой электроники, выполненных на элементной базе гетероструктур и мультислоев сверхпроводник/ферромагнитный полупроводник (ФП), ФП/немагнитный полупроводник (П), ферромагнитный металл (ФМ)/П. Даны фундаментальные электронные и магнитные характеристики этих материалов, способы их получения в компактном, монокристаллическом и пленочном состояниях. Приводятся способы создания и результаты изучения физических параметров сверхпроводящих туннельных переходов Джозефсона с барьером, выполненным из ФП, а также контактов ФП/П, в которых осуществлены спиновой токоперенос и инжекция спинов носителей определенной ориентации в полупроводник. Показаны новые физические возможности подобных структур как для спиновой криоэлектроники, так и субмиллиметровой спектроскопии твердого тела и устройств спиновой информатики, а также для создания твердотельного лазера миллиметрового исубмиллиметрового диапазонов
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 58
Автор(ы) : Келлерман Д. Г., Переляев В. А., Зайнулин Ю. Г., Алямовский С. И.
Заглавие : Влияние высокого давления на свойства Ti3O5 в области фазового перехода полупроводник-металл
Место публикации : 3-е Всесоюзное совещание по химии твердого тела, Свердловск 2-4 июня 1981 г.: тез. докл. - Свердловск, 1981. - Т. 3. - С. 81
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--ti3o5--высокое давление--давление высокое--фазовые переходы--полупроводник-металл--полупроводник--металлы
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Г 61
Автор(ы) : Головкин Б. Г., Волков В. Л., Тибогайкин А. М.
Заглавие : Синтез и терморезистивные свойства FePV18O40
Место публикации : Химия, технология, промышленная экология неорганических соединений. - 1999. - N 2. - С. 19-23
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): синтез--терморезистивные материалы--материалы терморезистивные--свойства терморезистивные--терморезистивные свойства--fepv18o40--fe--v--железо--ванадий--переходы фазовые--фазовые переходы--переход полупроводник-металл--p--фосфор
Аннотация: Синтезирован терморезистивный материал FePV18O40, испытывающий фазовый переход полупроводник-металл при 331 К и температурном коэффициенте сопротивления 200 % K. Предложен критерий эффективности работы терморезистивного материала
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Е 64
Автор(ы) : Еняшин А. Н., Ивановский А. Л.
Заглавие : Атомные дефекты стенок и электронное строение нанотрубок дисульфида молибдена
Параллельн. заглавия :Atomic defects of the walls and electronic structure of molybdenium disulfide nanotubes
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 1. - С. 82-87: рис., табл. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 87 (17 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Зонным методом функционала зарядовой плотности-сильной связи впервые изучено влияние различных типов атомных дефектов стенок нанотрубок MoS2 на их структурные и электронные свойства. Обнаружено, что возникновение в стенках MoS2 трубок атомных дефектов может обусловить переходы полупроводник-металл
Полный текст
Найти похожие

 1-10    11-20   21-26 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика