Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (4209)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (153)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (881)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (47)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.) (644)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (836)Публикации об УрО РАН (111)Изобретения уральских ученых (230)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (633)Нанотехнологии (2085)Гибель династии Романовых (1)История Урала (9)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (6)Труды Института истории и археологии УрО РАН (5)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (12)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (4)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (30)Расплавы (17)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (6)Публикации Черешнева В.А. (3)Публикации Чарушина В.Н. (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (172)Библиометрия (13)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТЕХНИКА<.>)
Общее количество найденных документов : 111
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 39

    Шеин, И. Р.
    Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO3 / И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, № 6. - С. 732-736 : ил. - Библиогр.: с. 735-736 (25 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРИОКСИД ВОЛЬФРАМА -- ПРИМЕСИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности (программный пакет VASP) изучено влияние s\kern-0.8ptp примесей замещения: фтора (электронный допант), азота и углерода (дырочные допанты) на электронные и магнитные свойства триоксида вольфрама WO3. Установлено, что эти примеси индуцируют переход триоксида вольфрама (немагнитный полупроводник) в состояние немагнитного металла (WO3:F), магнитного полуметалла (WO3:N) или магнитного металла (WO3:С)

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 14

    Садовников, С. И.
    Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 = Optical properties of nanostructured lead sulfide films with DO3 type cubic structure / С. И. Садовников, Н. С. Кожевникова, А. И. Гусев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, № 12. - С. 1621-1632 : граф., фото, табл. - Библиогр.: с. 1631 (42 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИЕ, НАНОСТРУКТУРА, ПЛЕНКИ -- СУЛЬФИД СВИНЦА, СТРУКТУРА КУБИЧЕСКАЯ
Аннотация: В диапазоне длин волн 300-3200 нм измерено оптическое пропускание наноструктурированных кубических пленок PbS со структурой типа D03, имеющих толщину от ~120 до ~400 нм. Электронно-микроскопическое исследование микроструктуры показало, что около половины всех частиц пленок имеют размер 60 нм и менее. При уменьшении среднего размера наночастиц пленок ширина запрещенной зоны Eg увеличивается от 0.85 до 1.5 эВ, что больше ширины зоны крупнозернистого PbS, равной 0.41 эВ. Это указывает на синее смещение полосы оптического поглощения в изученных наноструктурированных пленках сульфида свинца ??

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: 203268 - бр. ф.; 203269 - кх.
   623
   Б 43

    Беленков, Евгений Анатольевич.
    Наноалмазы и родственные углеродные наноматериалы. Компьютерное материаловедение [] / Е. А. Беленков, В. В. Ивановская, А. Л. Ивановский ; РАН, УрО, Ин-т химии твердого тела. - Екатеринбург : [б. и.], 2008. - 166, [1] с. : ил. - ISBN 5-7691-1958-6 : 10.00 р.
ГРНТИ
29.19.22
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ УГЛЕРОДНЫЕ -- НАНОФОРМЫ УГЛЕРОДА -- НАНОВОЛОКНА АЛМАЗНЫЕ -- ДИНАМИКА МОЛЕКУЛЯРНАЯ (ФИЗИКА) -- НАНОСТРУКТУРЫ (МОДЕЛИРОВАНИЕ) -- НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ -- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ (НАНОТЕХНОЛОГИИ) -- НАНОТЕХНОЛОГИИ (МАТЕРИАЛЫ)

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 64

    Еняшин, А. Н.
    Атомные дефекты стенок и электронное строение нанотрубок дисульфида молибдена [Текст] = Atomic defects of the walls and electronic structure of molybdenium disulfide nanotubes / А. Н. Еняшин, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 1. - С. 82-87 : рис., табл. - Библиогр.: с. 87 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АТОМНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- ДИСУЛЬФИД МОЛИБДЕНА -- НАНОТРУБКИ
Аннотация: Зонным методом функционала зарядовой плотности-сильной связи впервые изучено влияние различных типов атомных дефектов стенок нанотрубок MoS2 на их структурные и электронные свойства. Обнаружено, что возникновение в стенках MoS2 трубок атомных дефектов может обусловить переходы полупроводник-металл

Полный текст
Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 39

    Шеин, И. Р.
    Зонная структура перовскитоподобных фаз A(Sn1-xMx)O3 (A=Ca, Sr,Ba; M=Mn, Fe, Co) : поиск новых магнитных полуметаллов [Текст] = Band structure of the perovskite-like A(Sn1-xMx)O3 (A=Ca, Sr,Ba; M=Mn, Fe, Co) : search of the novel magnetic half-metals / И. Р. Шеин, В. Л. Кожевников, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, Вып. 11 . - С. 1295 - 1299 : рис., табл. - Библиогр. : с. 1299 (19 назв.) . - ISSN 0015 -322
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ПЕРОВСКИТОПОДОБНЫЕ ФАЗЫ -- МАГНИТНЫЕ ПОЛУМЕТАЛЛЫ -- НЕМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- SrSnO3
Аннотация: Полнопотенциальным методом LAPW в формализме LSDA выполнен теоретический поиск новых магнитных полуметаллов на основе немагнитного полупроводника SrSnO3, легированного магнитными ионами M=Mn, Fe, Co. Обнаружено, что в отличие от Sr2SnMnO6 (ферромагнитный полупроводник) и Sr2SnСоO6 (ферромагнитный металл) перовскит Sr2SnFeO6 является ферромагнитным полуметаллом: его эектронный спектр содержит запрещенную щель (~o.7 эВ) для низкоспиновой и имеет металлоподобный тип для высокоспиновой подсистем

Полный текст
Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 22

    Ивановская, В. В.
    Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки [] / В. В.; Институт химии твердого тела УрО РАН Ивановская, Г. Зейферт, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, N 9. - 1093-1100: ил. - Библиогр.: с. 1099-1100 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- НАНОСТРУКТУРА -- ДИСУЛЬФИД ТИТАНА -- МОНОСЛОИ -- НАНОЛЕНТЫ -- НАНОТРУБКИ -- САМОСОГЛАСОВАННЫЙ ЗОННЫЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ
Аннотация: Предложены атомные модели квазиодномерных (1D) плоских (наноленты) и цилиндрических (нанотрубки) наноструктур 1T- и 2H-фаз TiS2. Самосогласованным зонным методом функционала электронной плотности в схеме сильной связи исследованы особенности электронного строения и факторы устойчивости этих наноструктур в сравнении с двумерной (2D, молекулярный монослой) и трехмерной (3D, кристалл) формами дисульфида титана. Впервые выполнен анализ возможности фазовых переходов (1T<->2H) в наноструктурах. Установлено, что октаэдрический тип атомного окружения, присущий устойчивой фазе 1T кристаллического TiS2, в 2D, 1D наноструктурах сохраняется. В отличие от 3D TiS2, все стабильные 2D и 1D наноструктуры являются полупроводниками; определены закономерности изменений зонного спектра наноструктур TiS2 в зависимости от их типа и атомного строения

Полный текст
Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42

    Медведева, Н. И.
    Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C)

Полный текст
Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42

    Медведева, Н. И.
    Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки [] = Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - Библиогр.: с. 808 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- V -- Ni -- 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ РЕШЕТОЧНАЯ -- РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ
Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей

Полный текст
Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 31

   
    Сенсоры паров воды и этанола на основе пленок ксерогелей поливанадатомолибдатов [] = Humidity and Ethanol Gas Sensors on the Based of the Polyvanadium-molybdenum Xerogels Films / В. Л. Волков, Г. С. Захарова, Г. Дай, М. Тонг // Микросистемная техника. - 2001. - N 7. - С. 6-9: граф. - Библиогр.: с. 9 (11 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСОРЫ -- ПАРЫ ВОДЫ -- ВОДА -- ЭТАНОЛ -- ПАРЫ ЭТАНОЛА -- КСЕРОГЕЛИ -- ПЛЕНКИ -- ПОЛИВАНАДАТОМОЛИБДАТЫ -- ХЕМОСОРБЦИЯ -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД -- ИОННО-ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ ИОННО-ЭЛЕКТРОННАЯ -- ГАЗООБРАЗНЫЕ ВЕЩЕСТВА -- ВЕЩЕСТВА ГАЗООБРАЗНЫЕ -- ВАНАДИЙ -- V -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Описано получение золь-гель-методом пленки ксерогелей общей формулы (NH4)2-xHxV12-yMoyO31+ или - дельта * nH2O (0 < или = x < или = 2 и 0 < или = y < или = 3) со слоистой структурой, имеющей ионно-электронный тип проводимости. Пленки с преимущественно протонной проводимостью обладают сенсорными свойствами по отношению к парам воды. Композит H2V12O31-дельта*nH2O + 3 масс. % Pd + 1 масс. % Au высокочувствителен к этанолу в присутствии NH3, CO, H2 и CH3COCH3. Время отклика на пары C2H5OH и восстановления свойств в воздухе этого сенсора равно 15-20 и 5 с соответственно

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 54

    Поляков, Е. В.
    Соотношение критической температуры и степени металличности при фазовых переходах второго рода [] / Е. В. Поляков, Р. Н. Плетнев // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. - 1995. - Т. 8, N 2. - С. 295-305 . - ISSN 0131-5366
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕМПЕРАТУРЫ КРИТИЧЕСКИЕ -- КРИТИЧЕСКИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ -- МЕТАЛЛИЧНОСТЬ -- ПЕРЕХОДЫ ФАЗОВЫЕ -- ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ -- ИОНЫ
Аннотация: Получено уравнение, связывающее степень металличности, степень ионности и величину критической температуры фазового перехода второго рода. Это уравнение использовано для описания вариации Тс перехода в сверхпроводящее состояние для простых веществ и фаз со структурой А15

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика