Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (111)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (40)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (7)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Нанотехнологии (16)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЭЛЕКТРОНЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-33 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   A 10


   
    A Novel Complex Cobalt Gallium Oxide Ca2Co0.8Ga1.2O4.8: Synthesis and High-Temperature Electron Transport Properties [] = A Novel Complex Cobalt Gallium Oxide Ca2Co0.8Ga1.2O4.8: Synthesis and High-Temperature Electron Transport Properties / S. Ya. Istomin, E. V. Antipov, G. Svensson, J. P. Attfield, V. L. Kozhevnikov, I. A. Leonidov, M. V. Patrakeev, E. B. Mitberg // Journal of Solid State Chemistry. - 2002. - V. 167, N 1. - С. 196-202 . - ISSN 0022-4596
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ДИФРАКЦИЯ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПОРОШКИ -- ОКСИД КОБАЛЬТА -- ОКСИД ГАЛЛИЯ -- СИНТЕЗ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- Co -- Ga -- Ga -- КОБАЛЬТ -- ГАЛЛИЙ -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКЦИЯ
Аннотация: A new complex oxide with the cation ratio Ca:Co:Ga = 2:0.8:1.2 has been synthesized in air at 1150oC. The cobalt atoms adopt oxidation states 2+ and 3+ in equal amounts giving an oxygen content corresponding to the composition Ca2Co0.8Ga1.2O4.8. It crystallizes in F-centered cubic structure with a = 15.0558 Angstrom. Conductivity measurements performed at high temperatures revealed that the temperature increase gives a charge disproportionation of Co3+ species resulting in a small concentration of Co4+ species and thus a small p-type conductivity in the oxide. A decrease of the oxygen pressure promotes oxygen depletion from the oxide and a deterioration of the conductivity. The electric properties are interpreted within a small polaron conduction mechanism. An unusually large mobility activation energy of 0.45 eV can be explained by a large spatial separation of cobalt cations in the structure

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ж 86


    Жуков, В. П.
    Ab initio расчеты времени и длины спиновой релаксации возбужденных электронов в металлах методом GWс включенным спин-орбитальным взаимодействием / В. П. Жуков, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, № 11 . - С. 2085-2093 : граф. - Библиогр.: с. 2092-2093 (34 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИНАМИКА СПИНОВАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ СПИНОВАЯ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- МЕТАЛЛЫ
Аннотация: На основе метода GW с включенным спин-орбитальным взаимодействием развит ab initio метод расчета времени спиновой релаксации возбужденных электронов в металлах. Выполнены расчеты времени и длины спиновой релаксации в Al, Cu, Au, Nb и Ta. Введена концепция фазового пространства поворота спина. Показано, что отношение времени релаксации спина к времени жизни возбужденного электрона хорошо объясняется на базе данной концепции. Время и длина спиновой релаксации в Nb оказываются гораздо меньше, чем в Al, Cu и Au. В особенности малы эти величины для Ta в соответствии с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Сопоставление результатов с предыдущими данными по времени и пути спиновой релаксации из-за взаимодействия с примесями и фононами показывает, что при энергии возбужденного электрона около 1 eV неупругое электрон-электронное рассеяние в присутствии спин-орбитального взаимодействия является доминирующим механизмом спиновой релаксации ??

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   S 11


    Sabiryanov, R. F.
    The decagonal plane-wave model for 2D- and 3D quasicrystals [Text] / R. F. Sabiryanov, S. K. Bose // Journal of Physics: Condensed Matter. - 1994. - V. 6, N 31. - P6197-6210 . - ISSN 0953-8984
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КВАЗИКРИСТАЛЛЫ -- МОДЕЛИ ПЛОСКИХ ВОЛН -- ПЛОСКИЕ ВОЛНЫ -- ВОЛНЫ ПЛОСКИЕ -- СВОБОДНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ СВОБОДНЫЕ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЗОННАЯ -- АППРОКСИМАНТЫ
Аннотация: Для расчета электронной структуры двумерных и трехмерных декагональных квазикристаллов рассмотрена модель свободных электронов. Обсужден вид зонной структуры для аппроксимантов таких квазикристаллов

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 56


   
    Вклад электронов внутренних валентных молекулярных орбиталей в химическую связь соединений урана [] / Ю. А. Тетерин, М. В. Рыжков, В. А. Губанов, С. Г. Гагарин // Квантовая химия твердого тела/ УНЦ АН СССР: Препр. - 1984. - С. 62-65
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ВАЛЕНТНОСТЬ -- МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ОРБИТАЛИ -- ОРБИТАЛИ МОЛЕКУЛЯРНЫЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ УРАНА -- УРАН -- U

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 93


    Рыжков, М. В.
    Влияние релятивистских эффектов на делокализацию f-электронов в соединениях лантанидов и актинидов [] / М. В. Рыжков, В. А. Губанов // 4-я Всесоюз. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников (Новосибирск, 9-11 июня 1987 г.): Тез. докл. - 1987. - С. 21
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- РЕЛЯТИВИСТСКИЕ ЭФФЕКТЫ -- ЭФФЕКТЫ РЕЛЯТИВИСТСКИЕ -- ДЕЛОКАЛИЗАЦИЯ -- f-ЭЛЕКТРОНЫ -- СОЕДИНЕНИЯ ЛАНТАНИДОВ -- СОЕДИНЕНИЯ АКТИНИДОВ

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 54


    Поляков, Е. В.
    Информационное описание химической связи и проблемы верхней границы периодической системы [] / Е. В. Поляков // 2-я Рос. конф. по радиохимии (Дмитровград, 27-31 окт. 1997 г.): Тез. докл. - 1997. - С. 13-14
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ -- ЭЛЕМЕНТЫ СВЕРХТЯЖЕЛЫЕ -- СВЕРХТЯЖЕЛЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- МЕХАНИКА КВАНТОВАЯ -- КВАНТОВАЯ МЕХАНИКА -- ПОТОКИ ИНФОРМАЦИОННЫЕ -- ИНФОРМАЦИОННЫЕ ПОТОКИ -- ЭЛЕКТРОНЫ АТОМНЫЕ -- АТОМНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- НОСИТЕЛИ ИНФОРМАЦИИ
Аннотация: Сообщение посвящено анализу свойств элементов периодической системы Д. И. Менделеева, включая сверхтяжелые элементы с помощью уравнения, полученного на основе представлений об обмене элементов микроскопических систем информационными потоками при возникновении между ними химической связи. Элемент (атом, ион, молекула, ячейка кристалла и т. д.) рассматривается как кодирующее устройство и источник сообщения, кодирование сигналов происходит по законам квантовой механики, носителями информации выступают атомные электроны, а установление равновесных информационных потоков эквивалентно возникновению химической связи

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 34


    Резницких, О. Г.
    Исследование нормального состояния электронного спектра Y-123 методами микроконтактной и туннельной спектроскопии [] / О. Г. Резницких, В. В. Осипов, А. С. Борухович // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. - 1994. - Т. 7, N 2. - С. 322-326 . - ISSN 0131-5366
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- МЕТОД МИКРОКОНТАКТНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ -- МЕТОД ТУННЕЛЬНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ -- КЕРАМИКА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- СВЯЗИ ВАЛЕНТНЫЕ -- ВАЛЕНТНЫЕ СВЯЗИ
Аннотация: Исследованы BAX микроконтактов W - Y-123 и туннельных контактов In - I - Y-123, где I несверхпроводящий слой, Y-123 - монокристалл или керамика YBa2Cu3Ox в интервале т-р 77-300 К. Показано, что вблизи уровня Ферми в Y-123 при Т > Tc существуют два пика плотности состояний электронов, определяемые валентными связями между ионами меди и кислорода

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 17


    Базуев, Г. В.
    Локализованный и коллективизированный характер альфа-электронов ванадия (2, 3, 4) в сложных оксидах [] / Г. В. Базуев, Г. П. Швейкин // Химия, технология и применение ванадиевых соединений: 3-е Всесоюз. совещ. (Качканар, 19-21 июня 1979 г.): Тез. докл. - 1979. - Ч. 2. - С. 3
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ВАНАДИЙ -- V -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 12


   
    Магниторезистивные свойства манганитов вблизи комнатной температуры [] / А. П. Носов, В. Г. Васильев, Е. В. Владимирова, Б. В. Слободин, В. В. Устинов // Оксиды: Физико-химические свойства: 5-я Всерос. науч. конф.: Сб. тр. - 2000. - С. 356-358. - Библиогр.: 7 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ -- МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА -- МАНГАНИТЫ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ -- МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ МАНГАНИТЫ -- МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ КОЛОССАЛЬНОЕ -- КОЛОССАЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- МАНГАНИТ ЛАНТАНА -- ЭЛЕКТРОНЫ СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННЫЕ -- СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-93


    Зуев, М. Г.
    Наблюдение узкополосной люминесценции комплексов ионов с одним 3d-электроном в кристаллах [] / М. Г. Зуев // Письма в Журнал технической физики. - 1990. - Т. 16, N 20. - С. 69-72 . - ISSN 0320-0116
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ИОНЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- КРИСТАЛЛЫ

Найти похожие

11.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 44


    Киселев, А. И.
    Оптические свойства двухвалентных РЗМ в жидком состоянии [] = Optical properties of bivalent REM in liquid states / А. И.; Институт химии твердого тела УрО РАН Киселев, В. И. Кононенко, Л. А. Акашев // Расплавы. - 2002. - N 1. - 74-84: табл., граф. - Библиогр.: с. 83-84 (28 назв.) . - ISSN 0235-0106
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИЕ -- РЗМ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ЖИДКОЕ СОСТОЯНИЕ -- СОСТОЯНИЕ ЖИДКОЕ -- НЕОДИМ -- ЕВРОПИЙ -- ИТТЕРБИЙ -- ГАДОЛИНИЙ -- Nd -- Eu -- Yb -- Gd -- ПРОВОДИМОСТЬ СВЕТОВАЯ -- СВЕТОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ДВУХВАЛЕНТНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ ДВУХВАЛЕНТНЫЕ -- ХИМИЯ
Аннотация: На основе модели почти свободных электронов проведен анализ полученных в эксперименте оптических свойств жидких РЗМ: неодима, европия, иттербия и гадолиния. Электроны, участвующие в межзонных переходах, разделены на различные группы. При этом учитывается аддитивность вкладов в световую проводимость от этих групп электронов. Задача определения парциальных величин аддитивных функций решается в графическом представлении путем вариационного подбора трех параметров: высоты пика, его положения и полуширины - по методу последовательных приближений

Найти похожие

12.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 38


    Акашев, Л. А.
    Оптические свойства жидких гадолиния и иттербия [] / Л. А. Акашев, В. И. Кононенко // Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл. - 1998. - Т. 2. - С. 10-12. - Библиогр.: 4 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
Gd -- ГАДОЛИНИЙ -- Yb -- ИТТЕРБИЙ -- МЕТАЛЛЫ ТЯЖЕЛЫЕ -- ТЯЖЕЛЫЕ МЕТАЛЛЫ -- СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИЕ -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- МЕТАЛЛЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТОД БИТТИ -- БИТТИ МЕТОД -- ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОКАЗАТЕЛЬ ПРЕЛОМЛЕНИЯ -- КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЯ -- ДИСПЕРСИОННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ДИСПЕРСИОННЫЕ -- СВЕТОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ СВЕТОВАЯ -- ОТРАЖАТЕЛЬНАЯ СПОСОБНОСТЬ -- СПОСОБНОСТЬ ОТРАЖАТЕЛЬНАЯ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- РЗМ
Аннотация: Эллипсометрическим методом Битти исследованы показатель преломления и коэффициент поглощения жидких гадолиния и иттербия. По экспериментальным результатам вычислены дисперсионные зависимости световой проводимости, отражательной способности и функций характеристических потерь энергии электронов. Впервые экспериментально получены фундаментальные характеристики электронной структуры жидких тяжелых редкоземельных металлов: гадолиния и иттербия

Найти похожие

13.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-75


   
    Особенности магнитосопротивления объемных поликристаллических La-Ba манганитов [] / А. П. Носов, В. Г. Васильев, Б. В. Слободин, В. В. Устинов // Оксиды: Физико-химические свойства: 5-я Всерос. науч. конф.: Сб. тр. - 2000. - С. 353-355. - Библиогр.: 5 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- МАНГАНИТЫ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ МАНГАНИТЫ -- La -- Ba -- Mn -- ЛАНТАН -- МАРГАНЕЦ -- БАРИЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЭЛЕКТРОНЫ СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННЫЕ -- СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ФЕРРОМАГНЕТИЗМ -- ТЕРМООБРАБОТКА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА

Найти похожие

14.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 47


    Леонидов, И. А.
    Особенности электронной проводимости в твердом растворе Sr3-3xLa2x(вакансия)x(VO4)2 [] = Electronic Conductivity of Sr3-3xLa2xvacancyx(VO4)2 Solid Solutions / И. А. Леонидов, О. Н. Леонидова, В. К. Слепухин // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, N 1. - С. 83-86. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРОВОДИМОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СТРОНЦИЙ -- ЛАНТАН -- ВАНАДИЙ -- ДАВЛЕНИЕ КИСЛОРОДА -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- ЭНТАЛЬПИЯ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- La -- V -- Sr
Аннотация: Измерены электронная проводимость в области давлений кислорода 10(-13)-10(5) Па при 1070-1270 К и ширина запрещенной зоны твердого электролита Sr3-3xLa2xвакансияx(VO4)2. Определены энергии активации и миграции электронов. Обсуждается корреляция между шириной запрещенной зоны и изменением электронной проводимости от состава сложного оксида

Найти похожие

15.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 44


    Киселев, А. И.
    Оценка эффективной массы электронов в церии из данных оптического эксперимента [] = Estimation of the Effective Electron Mass in Cerium from the Data of Optical Experiment / А. И. Киселев, В. И. Кононенко // Теплофизика высоких температур. - 2003. - Т. 41, N 6. - 870-876: табл. - Библиогр.: с. 876 (16 назв.) . - ISSN 0040-3644
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ -- ЦЕРИЙ -- Ce -- ОПТИЧЕСКАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ ОПТИЧЕСКАЯ -- МЕТАЛЛЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- РЗМ -- БРЭГГОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ -- ФОТОНЫ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ
Аннотация: Вид дисперсионной зависимости оптической проводимости жидких редкоземельных металлов (РЗМ) в области энергии фотонов вблизи 2 эВ определяется вкладом максимума плотности электронных состояний, возникающего при брэгговском рассеянии электронов на первой координационной сфере расплава. Показано, что для жидкого церия экспериментальная зависимость оптической проводимости в этой области фотонов может быть описана с учетом эффективной массы электронов, близкой по значению 1.37. Отмечено, что учет эффективной массы электронов в классическом уравнении Друде для оптической проводимости позволяет провести оценку величины этого параметра на основе данных оптического эксперимента

Найти похожие

16.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 68


    Королев, А. В.
    Парамагнитные и спин-стекольные свойства пирохлорподобных оксидов Ln2Mn2/3Mo4/3O7 (Ln = Sm, Gd, Tb и Y) [] / А. В. Королев, Г. В. Базуев // Физика твердого тела. - 2004. - Т. 46, N 2. - 287-296: ил. - Библиогр.: с. 295 (22 назв.) . - ISSN 0367-3294
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ПАРАМАГНИТНЫЕ -- СПИН-СТЕКОЛЬНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА СПИН-СТЕКОЛЬНЫЕ -- ПИРОХЛОРПОДОБНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ ПИРОХЛОРПОДОБНЫЕ -- МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА МАГНИТНЫЕ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- ВОСПРИИМЧИВОСТЬ МАГНИТНАЯ -- МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Аннотация: В интервале температур 2-300 K изучены магнитные свойства сложных оксидов Ln2Mn2/3Mo4/3O7 (Ln = Sm, Gd, Tb и Y) с пирохлорподобной структурой. Для всех соединений в области парамагнитного состояния температурная зависимость магнитной восприимчивости описывается обобщенным законом Кюри--Вейса с температурно-независимой составляющей ~10-6 cm3/g и постоянной Вейса Theta < 0 и |Theta| < 16 K. В области низких температур (T < 10-12 K) соединения обладают спин-стекольными свойствами, при которых наблюдаются характерные явления магнитного и температурного гистерезиса, а также типичные зависимости мнимой и действительной составляющих динамической магнитной восприимчивости от температуры и частоты переменного магнитного поля в широком интервале времен релаксации намагниченности. Полученные данные позволяют предполагать, что d-электроны ответственны за формирование фрустированных обменных взаимодействий в соединениях, в то время как 4f-электроны в случае соединений с Sm и Tb
обеспечивают сильные эффекты магнитной анизотропии

Полный текст
Найти похожие

17.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 55


    Елфимов, И. С.
    Плотности электронных состояний и рентгено-электронные спектры сплавов TixVyCz [] / И. С. Елфимов, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - Т. 1. - С. 275
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛОТНОСТЬ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ -- РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- СПЛАВЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- Ti -- ТИТАН -- V -- ВАНАДИЙ -- C -- УГЛЕРОД -- ХИМИЯ

Найти похожие

18.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 77


   
    Природа химической связи в ThF4 / А. Ю. Тетерин, М. В. Рыжков, Ю. А. Тетерин, Л. Вукчевич, В. А. Терехов, К. И. Маслаков, К. Е. Иванов // Радиохимия. - 2009. - Т. 51, № 6. - С. 481-488 : табл., граф. - Библиогр.: с. 488 (15 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ОБЩАЯ ХИМИЯ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕТРАФТОРИД ТОРИЯ -- СВЯЗЬ ХИМИЧЕСКАЯ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ
Аннотация: Изучена тонкая структура рентгеноэлектронного спектра ThF4 (область валентных электронов) в диапозоне от 0 до 35 эВ. Анализ проведён с учётом данных теоретического расчёта электронного строения кластера ThF4-(8) группы симметрии С2, как модели ближайшего окружения тория в твёрдом ThF4, выполненного релятивистским методом дискретного варьирования. В результате теоретически показано и экспериментально подтверждено, что при образовании химической связи в диапозоне энергий электронов внешних валентных молекулярных орбиталей (валентной зоне) ThF4 возникают заполненные состояния Th5f-электронов (0.5 Th5f-электрона). Показано, что Th6p-электроны принимают заметное участие в образовании не только внутренних валентных, но и внешних валентных (0.4 Th6p-электрона). молекулярных орбиталей. Установлен состав и порядок следования внутренних валентных молекулярных орбиталейв энергитической области от 13 до 35 эВ и расчитана плотность состояний валентных электронов от 0 до 35 эВ в ThF4.Полученные данные позволили впервые расшифровать тонкую структуру O4,5 (Th)-эмиссионного спектра тория высокого разрешения для ThF4 в диапозоне энергий фотонов от 60 до 85 эВ, связанную с образованием внешних и внутренних валентных молекулярных орбиталей

Найти похожие

19.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 77


   
    Природа химической связи в ThO2 = The nature of the chemical bond in ThO2 / А. Ю. Тетерин, М. В. Рыжков, Ю. А. Тетерин, Л. Вукчевич, В. А. Терехов, К. И. Маслаков, К. Е. Иванов // Инженерная физика. - 2009. - № 2. - С. 30-38 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 38 (21 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ОРБИТАЛИ МОЛЕКУЛЯРНЫЕ -- ДИОКСИД ТОРИЯ
Аннотация: Изучена тонкая структура рентгеноэлектронного спектра ThO2 в диапазоне 0…35 эВ. Анализ проведен с учетом данных теоретического расчета электронного строения кластера ThO8(12-) группы симметрии D4h, отражающего ближайшее окружение тория в ThO2, выполненного в релятивистском приближении методом Xальфа-дискретного варьирования. В результате теоретически показано и экспериментально подтверждено, что в ThO2 при образовании химической связи в валентной зоне возникают заполненные состояния Th5f-электронов (~0,7 Th5f-электрона). Показано, что Th6p-электроны принимают значительное участие в образовании не только внутренних валентных, но и внешних валентных (~0,4 Th6p-электрона) молекулярных орбиталей (зон). Установлен состав и порядок следования внутренних валентных молекулярных орбиталей в энергетической области от 13 до 35 эВ и рассчитана плотность состояний валентных электронов от 0 до 35 эВ в диоксиде тория. Полученные данные позволили впервые расшифровать тонкую структуру рентгеновского O4,5(Th) - эмиссионного спектра тория высокого разрешения для ThO2 в диапазоне энергий фотонов от ~60 до ~85 эВ, которая обусловлена электронами валентных электронов

Найти похожие

20.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет удельного электросопротивления жидких РЗМ в приближении почти свободных электронов [] / В. Г. Постовалов, Е. П. Романов, С. Н. Ладыгин, В. И. Кононенко, В. П. Кондратьев // Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов : Тр. 11-й Рос. конф. (Екатеринбург, 14-16 сент. 2004 г.). - 2004. - Т. 1: Физико-химические модели строения и методы моделирования свойств расплавов. - 44-48: ил. - Библиогр.: с. 47-48 (25 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСЧЕТ УДЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- СВОБОДНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ СВОБОДНЫЕ -- РАСПЛАВЫ -- МЕТОД ЛОКАЛЬНОГО ПСЕВДОПОТЕНЦИАЛА -- МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЕ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ МЕТАЛЛОВ -- УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- ЖИДКИЕ РЗМ -- РЗМ ЖИДКИЕ

Найти похожие

 1-20    21-33 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика