Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Нанотехнологии (20)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 32


   
    Адсорбция цезия на поверхности бета2-GaAs(001) [Текст] / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев, А. В. Постников, И. Р. Шеин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, № 4. - С. 667-680 : рис., табл. - Библиогр.: с. 679-680 (50 назв.) . - ISSN 0044-4510
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АДСОРБЦИЯ ЦЕЗИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ, ЦЕЗИЙ, Cs -- ГИБРИДИЗАЦИЯ
Аннотация: Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности бета2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T3 в случае мышьяка в поверхностном слое и T4 -в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев. При этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 22


    Бамбуров, В. Г.
    Спиновый транзистор в контакте EuO:Fe/GaAs [] / В. Г. Бамбуров, А. С. Борухович, Н. И. Игнатьева // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 437, № 2. - С. 173-177 : рис., табл. - Библиогр.: с. 176-177 (15 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПИНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ФЕРРОМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- НЕМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- НИЗКИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53


   
    Получение и структура субмикронных пленок состава Eu0.75Fe0.25O на подложках InSb, Si И GaAs = The production and structure of submicrometer Eu0.75Fe 0.25O films on InSb, Si, and GaAs substrates / А. С. Борухович, А. И. Галяс, А. Ф. Демиденко, V. Dyakonov, В. А. Кецко, Н. И. Игнатьева, Н. Н. Новицкий, А. И. Стогний, H. Scymczak, К. И. Янушкевич // Неорганические материалы. - 2009. - Т. 45, № 3. - С. 296-299 : граф., фото. - Библиогр.: с. 299 (12 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ СУБМИКРОННЫЕ -- СПЛАВЫ ФЕРРОМАГНИТНЫЕ -- МЕТОД ТЕРМИЧЕСКОГО ИСПАРЕНИЯ
Аннотация: Изучены условия получения и кристаллическая структура слоев состава Eu0.75Fe0.25O толщиной до 350 нм на подложках InSb, Si и GaAs. Методом термического испарения на подложках InSb(001) из мишеней, близких к составу Eu0.75Fe0.25O, впервые получены пленки толщиной от 100 до 200 нм с морфологическими неоднородностями на поверхности, не превышающими 10 нм, сочетающие ферромагнитные и полупроводниковые свойства при комнатных температурах

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   T 44


   
    The Production and Structure of Submicrometer Eu0.75Fe0.25O Films on InSb, Si, and GaAs Substrates / A. S. Borukhovich, A. I. Galyas, O. F. Demidenko, V. Dyakonov, V. A. Ketsko, N. I. Ignat’eva, N. N. Novitskii, A. I. Stognij, H. Szymczak, K. I. Yanushkevich // Inorganic Materials. - 2009. - Vol. 45, № 3. - P. 254-257 : il. - Bibliogr. : p. 256-257 (12 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ФЕРРОМАГНЕТИКИ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ
Аннотация: The conditions for fabrication and the crystal structure of the up-to-350-nm-thick Eu0.75Fe0.25O layers formed on InSb, Si, and GaAs substrates are studied. For the first time, 100–200 nm films with morphological surface inhomogeneities not exceeding 10 nm in size are produced by flash evaporation of targets close in composition to Eu0.75Fe0.25O onto InSb(001) substrates. The films exhibit ferromagnetic properties in combination with semiconductor properties at room temperatures

Полный текст
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика