Поисковый запрос: (<.>K=SILICON<.>) |
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17 |
1.
| Rempel A. A. Identification of Structural Vacancies in Carbides, Oxides, and Sulfides by Doppler Broadening of the Gamma-Ray Line/A. A. Rempel, A. A. Valeeva, N. S. Kozhevnikova // JETP Letters, 2010. т.Vol. 92,N № 3.-С.146-150
|
2.
| Silicon carbide refractories in the lining of the cooler drum/K. V. Simonov, A. P. Kukushkin, S. I. Rabochkin, Yu. P. Vorob'ev, V. A. Bron, V. D. Koksharov, T. A. Vyaznikova, V. V. Alekseev // Refractories and Industrial Ceramics, 1978. т.Vol. 19,N № 3-4.-С.294-296
|
3.
| Суриков В. Т. Кислотное растворение кремния и его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой/В. Т. Суриков // Аналитика и контроль, 2008. т.Т. 12,N № 3-4.-С.93-100
|
4.
| Эффективность импульсного магнитофореза в комплексной терапии хронического генерализованного пародонтита с использованием композиций на основе кремнийорганического глицерогидрогеля= Effectiveness of pulsed magnitophoresis in the complex treatment of chronic generalized periodontitis with the use of compositions based on silicon-organic glycerohydrogel/О. Л. Шнейдер, В. И. Баньков, Л. П. Ларионов, Т. Г. Хонина, Е. В. Шадрина, Е. А. Богданова, Н. А. Сабирзянов // Уральский медицинский журнал, 2009. т.№ 5.-С.76-80
|
5.
| Medvedeva N. I. Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects/N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors, 2002. т.Vol. 36,N № 7.-С.751-754
|
6.
| Medvedeva N. I. Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites/N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors, 2003. т.Vol. 37,N № 11.-С.1243-1246
|
7.
| Nikolaenko I. V. The use of microwave radiation for synthesis of a ceramic based on silicon carbide and complex oxides: a study of physicochemical properties/I. V. Nikolaenko, G. P. Shveikin // Refractories and Industrial Ceramics, 2001. т.Vol. 42,N № 7-8.-С.276-279
|
8.
| Ivanovskii A. L. Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon/A. L. Ivanovskii, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Russian Chemical Bulletin, 1999. т.Vol. 48,N № 3.-С.612-615
|
9.
| Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures/V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, K. E. Kudryavtsev, V. N. Shabanov, S. V. Obolensky, O. V. Belova, M. V. Kuznetsov, A. V. Kornaukhov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik // Semiconductors, 2007. т.Vol. 41,N № 11.-С.1312-1314
|
10.
| Юрьева Э. И. Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии, 2001. т.Т. 42,N N 2.-С.203-209: табл.
|
11.
| Ивановский А. Л. Межатомные взаимодействия и электронная структура гексагональных диборидов магния, алюминия и кремния: неэмпирические ПП-ЛМТО расчеты/А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева // Неорганические материалы, 2000. т.Т. 45,N N 8.-С.1355-1361
|
12.
| Structure of silicon-based novel ceramics studied by means of positron annihilation/K. Reichle, A. A. Rempel, R. K. R. Boda, F. Aldinger, H. -E. Schaefer // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr.. -Ekaterinburg, 1999.-С.2.7
|
13.
| Юрьева Э. И. Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg)/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии, 2000. т.Т. 41,N N 4.-С.687-695
|
14.
| New hybrid chelating sorbents with grafted 3-aminopropionate groups based on mixed silicon, aluminum, titanium, or zirconium oxides/Yu. G. Yatluk, N. A. Zhuravlev, O. V. Koryakova, L. K. Neudachina, Yu. A. Skorik // Russian Chemical Bulletin, 2005. т.Vol. 54,N № 8.-С.1836-1841
|
15.
| A study of cadmium sulfide nanocrystalline films by grazing incidence X-ray diffraction/N. S. Kozhevnikova, A. A. Rempel, F. Hergert, A. Magerl // Russian Journal of Physical Chemistry A, 2007. т.Vol. 81,N № 5.-С.768-772
|
16.
| Юрьева Э. И. Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния/Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия, 2002. т.Т. 28,N N 12.-С.943-950: граф., табл.
|
17.
| Медведева Н. И. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения/Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников, 2003. т.Т. 37,N N 11.-С.1281-1284: табл., граф.
|
|