Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   S 89


    Structure of silicon-based novel ceramics studied by means of positron annihilation [] / K. Reichle, A. A. Rempel, R. K. R. Boda, F. Aldinger, H. -E. Schaefer // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - 1999. - С. 2.7. - Bibliogr.: 4 ref.

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КЕРАМИКА СИЛИКОНОВАЯ -- СИЛИКОНОВАЯ КЕРАМИКА -- АННИГИЛЯЦИЯ ПОЗИТРОНОВ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТВЕРНЫЕ -- ЧЕТВЕРНЫЕ СИСТЕМЫ -- ВАКАНСИИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ПИРОЛИЗ -- СОСТОЯНИЕ АМОРФНОЕ -- АМОРФНОЕ СОСТОЯНИЕ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) [] = Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0136-7463

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СИАЛОНЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- УГЛЕРОД -- C -- АЛЮМИНИЙ -- Al -- ГАЛЛИЙ -- Ga -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПОДРЕШЕТКА КАТИОННАЯ -- КАТИОННАЯ ПОДРЕШЕТКА -- Si2N2O -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- КРЕМНИЙ -- Si
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si->C, Al, Ga, Be и Mg

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния [] = Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - 203-209: табл. - Библиогр.: с. 209 (27 назв.) . - ISSN 0136-7463

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- Si2N2O -- КРЕМНИЙ -- Si -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- СИАЛОНЫ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ -- МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ СИАЛОНЫ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 22

    Ивановский, А. Л.
    Межатомные взаимодействия и электронная структура гексагональных диборидов магния, алюминия и кремния: неэмпирические ПП-ЛМТО расчеты [] = Interatomic Interactions and Electronic Structure of Hexagonal Magnesium, Aluminum, and Silicon Diborides: Ab initio Full-Potential LMTO Calculations / А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 45, N 8. - С. 1355-1361. - Библиогр.: 27 назв. . - ISSN 0002-337X

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- МАГНИЙ -- ДИБОРИД МАГНИЯ -- ДИБОРИД АЛЮМИНИЯ -- ДИБОРИД КРЕМНИЯ -- РАСЧЕТЫ НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СТРУКТУРА ЗОННАЯ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- БОР -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- Mg -- Al -- Si -- B
Аннотация: Первопринципным самосогласованным полнопотенциальным методом ЛМТО исследованы зонная структура и природа межатомных связей для D(1)6h - MgB2, AlB2, а также для гипотетического гексагонального диборида кремния. Сопоставлены электронные свойства данных фаз и изоструктурного диборида TiB2

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 42

    Медведева, Н. И.
    Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C)

Полный текст
Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   N 52


    New hybrid chelating sorbents with grafted 3-aminopropionate groups based on mixed silicon, aluminum, titanium, or zirconium oxides [Текст] / Yu. G. Yatluk, N. A. Zhuravlev, O. V. Koryakova, L. K. Neudachina, Yu. A. Skorik // Russian Chemical Bulletin. - 2005. - Vol. 54, № 8. - С. 1836-1841. - Библиогр. : с. 1841 (21 назв.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД -- СИЛИКАГЕЛИ -- АЛЮМИНИЙ -- ОКСИД ТИТАНА -- ОКСИД ЦИРКОНИЯ
Аннотация: A series of new hybrid organo inorganic sorbents with the 3 aminopropionate chelating group was synthesized. The synthesis includes the copolycondensation (sol—gel method) of tetraethoxysilane, 3 aminopropyltriethoxysilane, and several modifiers (MeSi(OEt)3, EtSi(OEt)3, Ti(OEt)4, AlONO3, ZrOCl2) followed by carboxyethylation with acrylic acid. The obtained chelating sorbents were characterized by elemental analysis, FT IR and 1H NMR spectroscopy, and thermogravimetry. The N carboxylated sorbents have a higher sorption capacity with respect to metal ions (0.5—0.9 mmol g–1, pH 6.3, NH4OAc, 20 °C) than the starting sorbents with the primary amino group (0.05—0.2 mmol g–1) and manifest high selec tivity for copper(II) ion extraction

Полный текст
Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   A 10


    A study of cadmium sulfide nanocrystalline films by grazing incidence X-ray diffraction [Text] / N. S. Kozhevnikova, A. A. Rempel, F. Hergert, A. Magerl // Russian Journal of Physical Chemistry A. - 2007. - Vol. 81, № 5. - P768-772. - Библиогр. : с. 772 (18 назв.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СУЛЬФИД КАДМИЯ -- НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Аннотация: Thin cadmium sulfide films were prepared on a monocrystalline crystal silicon substrate by chemical deposition from aqueous solutions. Grazing incidence X-ray diffraction revealed that the cadmium sulfide films are comprised of nanocrystal particles, with 80% of the particles having a size of 5±1 nm. Some nanocrystals have a wurtzite structure, while others, a sphalerite one. The presence of cubic phase in the films is indicative of a nonequilibrium state of the nanocrystalline films. Thirty minutes after the onset of the formation of cadmium sulfide, the size and crystal structure of the constituent particles of the film become independent of the deposition time—only the film thickness increases. In addition, the initial stage of the formation of the cadmium sulfide film is accompanied by the deposition of cadmium hydroxide Cd(OH)2

Полный текст
Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   E 66


    Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures [Текст] / V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, K. E. Kudryavtsev, V. N. Shabanov, S. V. Obolensky, O. V. Belova, M. V. Kuznetsov, A. V. Kornaukhov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik // Semiconductors. - 2007. - Vol. 41, № 11. - С. 1312-1314. - Библиогр. : с. 1314 (12 назв.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   С 90

    Суриков, В. Т.
    Кислотное растворение кремния и его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой = Acid dissolution of silicon and its compounds for analysis by inductively coupled plasma mass-spectrometry / В. Т. Суриков // Аналитика и контроль. - 2008. - Т. 12, № 3-4. - С. 93-100 : рис. - Библиогр.: с. 99-100 (44 назв.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСТВОРЕНИЕ -- КРЕМНИЙ -- МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ -- ИНДУКТИВНО СВЯЗАННАЯ ПЛАЗМА
Аннотация: Рассмотрены химия и технология кислотного растворения кремния и некоторых его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой, а также способ устранения матричных спектральных помех путем удаления кремния из растворов. Показано устройство наиболее известных современных и предшествующих (разработанных для других аналитических методов) нагреваемых аппаратов для кислотного парофазного разложения образцов под давлением или с выпуском летучих продуктов наружу, выявлены их достоинства и недостатки

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   Э 94


    Эффективность импульсного магнитофореза в комплексной терапии хронического генерализованного пародонтита с использованием композиций на основе кремнийорганического глицерогидрогеля= Effectiveness of pulsed magnitophoresis in the complex treatment of chronic generalized periodontitis with the use of compositions based on silicon-organic glycerohydrogel / О. Л. Шнейдер, В. И. Баньков, Л. П. Ларионов, Т. Г. Хонина, Е. В. Шадрина, Е. А. Богданова, Н. А. Сабирзянов // Уральский медицинский журнал. - 2009. - № 5. - С. 76-80

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХРОНИЧЕСКИЙ ПАРОДОНТИТ -- ТРАНСМУКОЗНАЯ АКТИВНОСТЬ
Аннотация: В работе изложены основные результаты исследования эффективности применения нового метода лечения хронического генерализованного пародонтита посредством проведения импульсного магнитофореза разработанной лекарственной композиции на основе кремнийорганического глицерогидрогеля

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   R 42

    Rempel, A. A.
    Identification of Structural Vacancies in Carbides, Oxides, and Sulfides by Doppler Broadening of the Gamma-Ray Line / A. A. Rempel, A. A. Valeeva, N. S. Kozhevnikova // JETP Letters. - 2010. - Vol. 92, № 3. - P146-150 : il. - Bibliogr. : p. 150 (9 ref.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- КАРБИДЫ -- ОКСИДЫ -- СУЛЬФИДЫ
Аннотация: A method has been developed to identify the sublattices of a crystal structure in which there are atomic vacancies. This method is based on determining the chemical environment of vacancies and is implemented using the method of the positron annihilation by measuring the momentum distribution of core electrons. To determine the characteristic momentum distribution of electrons, a special two-detector spectroscopy is used, which ensures measurements of Doppler broadening of the annihilation gamma ray line with a high (up to 106) signal-to-noise ratio. To test the method, vacancies in irradiated silicon carbide (6H SiC), sintered nonstoichiometric titanium carbides (TiCy) and titanium monoxides (TiOy), and chemically deposited lead and cadmium sulfides (PbS and CdS) have been identified. Vacancies in the carbon and silicon sublattices have been identified in silicon carbide after irradiation by low- and high-energy electrons, respectively. Vacancies in the nonmetal sublattice have been identified in TiCy. Vacancies in the metal sublattice have been identifiedin TiCy, as well as in PbS and CdS

Полный текст
Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   T 44


    Silicon carbide refractories in the lining of the cooler drum / K. V. Simonov, A. P. Kukushkin, S. I. Rabochkin, Yu. P. Vorob'ev, V. A. Bron, V. D. Koksharov, T. A. Vyaznikova, V. V. Alekseev // Refractories and Industrial Ceramics. - 1978. - Vol. 19, № 3-4. - P294-296 : il.

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТУГОПЛАВКИЕ КАРБИДЫ -- КРЕМНИЙ

Полный текст
Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   N 64

    Nikolaenko, I. V.
    The use of microwave radiation for synthesis of a ceramic based on silicon carbide and complex oxides: a study of physicochemical properties / I. V. Nikolaenko, G. P. Shveikin // Refractories and Industrial Ceramics. - 2001. - Vol. 42, № 7-8. - P276-279 : il. - Bibliogr. : p. 279 (6 ref.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОВОЛНОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- КЕРАМИКА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
Аннотация: A new composite ceramic material based on silicon carbide and complex oxide is synthesized by the microwave radiation method at a frequency of 2450 MHz. The material is characterized by loss tangent tan δ = 0.072 – 0.075 and has prospective applications in radio and microwave technology. The material, owing to its radio-absorbing properties, can be used to fabricate heaters for microwave muffle furnaces

Полный текст
Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   I-98

    Ivanovskii, A. L.
    Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon / A. L. Ivanovskii, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - P612-615 : il. - Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCx>L0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx>1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed

Полный текст
Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects / N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - P751-754 : il. - Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities

Полный текст
Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites / N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - P1243-1246 : il. - Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДОПИРОВАНИЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti -->Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me--> Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me--> Si, C) is studied

Полный текст
Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)