Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (27)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (12)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (28)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (34)Расплавы (22)Публикации Чарушина В.Н. (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SILICON<.>)
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/R 42
Автор(ы) : Rempel A. A., Valeeva A. A., Kozhevnikova N. S.
Заглавие : Identification of Structural Vacancies in Carbides, Oxides, and Sulfides by Doppler Broadening of the Gamma-Ray Line
Место публикации : JETP Letters. - 2010. - Vol. 92, № 3. - С. 146-150: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 150 (9 ref.)
ISSN: 0021-3640
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структурные вакансии--карбиды--оксиды--сульфиды
Аннотация: A method has been developed to identify the sublattices of a crystal structure in which there are atomic vacancies. This method is based on determining the chemical environment of vacancies and is implemented using the method of the positron annihilation by measuring the momentum distribution of core electrons. To determine the characteristic momentum distribution of electrons, a special two-detector spectroscopy is used, which ensures measurements of Doppler broadening of the annihilation gamma ray line with a high (up to 106) signal-to-noise ratio. To test the method, vacancies in irradiated silicon carbide (6H SiC), sintered nonstoichiometric titanium carbides (TiCy) and titanium monoxides (TiOy), and chemically deposited lead and cadmium sulfides (PbS and CdS) have been identified. Vacancies in the carbon and silicon sublattices have been identified in silicon carbide after irradiation by low- and high-energy electrons, respectively. Vacancies in the nonmetal sublattice have been identified in TiCy. Vacancies in the metal sublattice have been identifiedin TiCy, as well as in PbS and CdS
Полный текст
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/T 44
Автор(ы) : Simonov K. V., Kukushkin A. P., Rabochkin S. I., Vorob'ev Yu. P., Bron V. A., Koksharov V. D., Vyaznikova T. A., Alekseev V. V.
Заглавие : Silicon carbide refractories in the lining of the cooler drum
Место публикации : Refractories and Industrial Ceramics. - 1978. - Vol. 19, № 3-4. - С. 294-296: il.
ISSN: 0034-3102
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тугоплавкие карбиды--кремний
Полный текст
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/С 90
Автор(ы) : Суриков В. Т.
Заглавие : Кислотное растворение кремния и его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой
Параллельн. заглавия :Acid dissolution of silicon and its compounds for analysis by inductively coupled plasma mass-spectrometry
Место публикации : Аналитика и контроль. - 2008. - Т. 12, № 3-4. - С. 93-100: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 99-100 (44 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): растворение--кремний--масс-спектрометрия--индуктивно связанная плазма
Аннотация: Рассмотрены химия и технология кислотного растворения кремния и некоторых его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой, а также способ устранения матричных спектральных помех путем удаления кремния из растворов. Показано устройство наиболее известных современных и предшествующих (разработанных для других аналитических методов) нагреваемых аппаратов для кислотного парофазного разложения образцов под давлением или с выпуском летучих продуктов наружу, выявлены их достоинства и недостатки
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 94
Автор(ы) : Шнейдер О.Л., Баньков В.И., Ларионов Л. П., Хонина Т. Г., Шадрина Е. В., Богданова Е. А., Сабирзянов Н. А.
Заглавие : Эффективность импульсного магнитофореза в комплексной терапии хронического генерализованного пародонтита с использованием композиций на основе кремнийорганического глицерогидрогеля= Effectiveness of pulsed magnitophoresis in the complex treatment of chronic generalized periodontitis with the use of compositions based on silicon-organic glycerohydrogel
Место публикации : Уральский медицинский журнал. - 2009. - № 5. - С. 76-80
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): хронический пародонтит--трансмукозная активность
Аннотация: В работе изложены основные результаты исследования эффективности применения нового метода лечения хронического генерализованного пародонтита посредством проведения импульсного магнитофореза разработанной лекарственной композиции на основе кремнийорганического глицерогидрогеля
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yuryeva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects
Место публикации : Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - С. 751-754: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--титан--ванадий--никель
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities
Полный текст
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yur`eva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites
Место публикации : Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - С. 1243-1246: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--допирование--переходные металлы
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti --Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me-- Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me-- Si, C) is studied
Полный текст
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/N 64
Автор(ы) : Nikolaenko I. V., Shveikin G. P.
Заглавие : The use of microwave radiation for synthesis of a ceramic based on silicon carbide and complex oxides: a study of physicochemical properties
Место публикации : Refractories and Industrial Ceramics. - 2001. - Vol. 42, № 7-8. - С. 276-279: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 279 (6 ref.)
ISSN: 0034-3102
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроволновое излучение --керамика--карбид кремния--сложные оксиды
Аннотация: A new composite ceramic material based on silicon carbide and complex oxide is synthesized by the microwave radiation method at a frequency of 2450 MHz. The material is characterized by loss tangent tan δ = 0.072 – 0.075 and has prospective applications in radio and microwave technology. The material, owing to its radio-absorbing properties, can be used to fabricate heaters for microwave muffle furnaces
Полный текст
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/I-98
Автор(ы) : Ivanovskii A. L., Medvedeva N. I., Shveikin G. P.
Заглавие : Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon
Место публикации : Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - С. 612-615: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)
ISSN: 1066-5285
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--стехиометрия
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCxL0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed
Полный текст
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 66
Автор(ы) : Kuznetsov V. P., Remizov D. Yu., Shmagin V. B., Kudryavtsev K. E., Shabanov V. N., Obolensky S. V., Belova O. V., Kuznetsov M. V., Kornaukhov A. V., Andreev B. A., Krasil'nik Z. F.
Заглавие : Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures
Место публикации : Semiconductors. - 2007. - Vol. 41, № 11. - С. 1312-1314
Примечания : Библиогр. : с. 1314 (12 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - С. 203-209: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 209 (27 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/И 22
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Медведева Н. И.
Заглавие : Межатомные взаимодействия и электронная структура гексагональных диборидов магния, алюминия и кремния: неэмпирические ПП-ЛМТО расчеты
Параллельн. заглавия :Interatomic Interactions and Electronic Structure of Hexagonal Magnesium, Aluminum, and Silicon Diborides: Ab initio Full-Potential LMTO Calculations
Место публикации : Неорганические материалы. - 2000. - Т. 45, N 8. - С. 1355-1361. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
Примечания : Библиогр.: 27 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Первопринципным самосогласованным полнопотенциальным методом ЛМТО исследованы зонная структура и природа межатомных связей для D(1)6h - MgB2, AlB2, а также для гипотетического гексагонального диборида кремния. Сопоставлены электронные свойства данных фаз и изоструктурного диборида TiB2
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/S 89
Автор(ы) : Reichle K., Rempel A. A., Boda R. K. R., Aldinger F., Schaefer H.-E.
Заглавие : Structure of silicon-based novel ceramics studied by means of positron annihilation
Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.7
Примечания : Bibliogr.: 4 ref.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): керамика силиконовая--силиконовая керамика--аннигиляция позитронов--системы тройные--тройные системы--системы четверные--четверные системы--вакансии--температурные зависимости--зависимости температурные--пиролиз--состояние аморфное--аморфное состояние
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg)
Параллельн. заглавия :Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg)
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: 28 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si-C, Al, Ga, Be и Mg
Найти похожие
14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/N 52
Автор(ы) : Yatluk Yu. G., Zhuravlev N. A., Koryakova O. V., Neudachina L. K., Skorik Yu. A.
Заглавие : New hybrid chelating sorbents with grafted 3-aminopropionate groups based on mixed silicon, aluminum, titanium, or zirconium oxides
Место публикации : Russian Chemical Bulletin. - 2005. - Vol. 54, № 8. - С. 1836-1841
Примечания : Библиогр. : с. 1841 (21 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): золь-гель метод--силикагели--алюминий--оксид титана--оксид циркония
Аннотация: A series of new hybrid organo inorganic sorbents with the 3 aminopropionate chelating group was synthesized. The synthesis includes the copolycondensation (sol—gel method) of tetraethoxysilane, 3 aminopropyltriethoxysilane, and several modifiers (MeSi(OEt)3, EtSi(OEt)3, Ti(OEt)4, AlONO3, ZrOCl2) followed by carboxyethylation with acrylic acid. The obtained chelating sorbents were characterized by elemental analysis, FT IR and 1H NMR spectroscopy, and thermogravimetry. The N carboxylated sorbents have a higher sorption capacity with respect to metal ions (0.5—0.9 mmol g–1, pH 6.3, NH4OAc, 20 °C) than the starting sorbents with the primary amino group (0.05—0.2 mmol g–1) and manifest high selec tivity for copper(II) ion extraction
Полный текст
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/A 10
Автор(ы) : Kozhevnikova N. S., Rempel A. A., Hergert F., Magerl A.
Заглавие : A study of cadmium sulfide nanocrystalline films by grazing incidence X-ray diffraction
Место публикации : Russian Journal of Physical Chemistry A. - 2007. - Vol. 81, № 5. - С. 768-772
Примечания : Библиогр. : с. 772 (18 назв.)
ISSN: 0036-0244
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сульфид кадмия--нанокристаллические пленки--рентгеновское излучение
Аннотация: Thin cadmium sulfide films were prepared on a monocrystalline crystal silicon substrate by chemical deposition from aqueous solutions. Grazing incidence X-ray diffraction revealed that the cadmium sulfide films are comprised of nanocrystal particles, with 80% of the particles having a size of 5±1 nm. Some nanocrystals have a wurtzite structure, while others, a sphalerite one. The presence of cubic phase in the films is indicative of a nonequilibrium state of the nanocrystalline films. Thirty minutes after the onset of the formation of cadmium sulfide, the size and crystal structure of the constituent particles of the film become independent of the deposition time—only the film thickness increases. In addition, the initial stage of the formation of the cadmium sulfide film is accompanied by the deposition of cadmium hydroxide Cd(OH)2
Полный текст
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide
Место публикации : Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - С. 943-950: граф., табл. - ISSN 0132-344X. - ISSN 0132-344X
Примечания : Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)
Найти похожие
17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 42
Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Параллельн. заглавия :Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - С. 1281-1284: табл., граф. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1284 (19 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti- Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M- Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M-Si, C)
Полный текст
Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика