Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Нанотехнологии (24)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide
Место публикации : Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - С. 943-950: граф., табл. - ISSN 0132-344X. - ISSN 0132-344X
Примечания : Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния
Параллельн. заглавия :Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - С. 203-209: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 209 (27 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Электронная структура и химическая связь примесных атомов Mn, Co в 3C-SiC
Место публикации : Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - Екатеринбург, 2002. - С. 236
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура 3c-sic--электронная структура--структура электронная--примеси--карбид кремния--sic--si--моделирование--моделирование--метод дискретного варьирования--кластеры--связи химические--химические связи--mn--co--марганец--кобальт--допирование
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg)
Параллельн. заглавия :Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg)
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: 28 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si-C, Al, Ga, Be и Mg
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC
Место публикации : Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - Екатеринбург, 2002. - С. 235
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура sic-матрицы--электронная структура--структура электронная--примеси--карбид кремния--sic--si--квантовохимическое моделирование--моделирование квантовохимическое--метод дискретного варьирования--кластеры
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л.
Заглавие : Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния
Параллельн. заглавия :Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - С. 220-225: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i)
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Параллельн. заглавия :Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - С. 207-214: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 214 (16 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M - Si, Si - i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Медведева Н. И., Гертнер Ж. В., Красковская В. В., Жуковский В. М., Ивановский А. Л., Швейкин Г. П.
Заглавие : Электронные свойства 3C-SiC, содержащего структурные дефекты
Место публикации : Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свойства электронные--электронные свойства--3c-sic--sic--si--c--карбид кремния--кремний--дефекты структурные--структурные дефекты
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Губанов В. А., Зацепин А. Ф., Кортов В. С., Фрейдман С. П., Черлов Г. Б.
Заглавие : Электронная структура кислородновакансионных дефектов в диоксиде кремния
Место публикации : Журнал прикладной спектроскопии. - 1988. - Т. 49, N 1. - С. 97-102. - ISSN 0514-7506. - ISSN 0514-7506
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--структура электронная--электронная структура--кислородновакансионные дефекты--дефекты кислородновакансионные--диоксид кремния--кремний--si
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания : 54/Э 41
Автор(ы) : Попель П. С., Грушевский К. И., Конюкова А. В., Рябина А. В., Сивков Г. М., Сидоров В. Е., Сон Л. Д., Щенова М. Н., Ягодин Д. А.
Заглавие : Экспериментальное и теоретическое исследование влияния метастабильной микрогетерогенности жидких эвтектических сплавов на их склонность к аморфизации и на структуру и свойства в аморфном состоянии
Место публикации : Региональный конкурс РФФИ "Урал". Свердловская область [Текст] : результаты научных работ, полученные за 2006 г. : аннот. отчеты / Рос. фонд фундамент. исслед., РАН, УрО, Регион. науч.-техн. центр. - Екатеринбург, 2007. - С. 244-246
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плотность расплавов--сплавы pd-si--кристаллическая структура--плавление
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика