Поисковый запрос: (<.>K=SiC<.>) |
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Enyashin A. N. Prediction of atomic structure and electronic properties of Ti3SiC2 based nanotubes by DFTB theory/A. N. Enyashin, A. L. Ivanovskii // Materials Letters, 2008. т.Vol. 62,N № 4-5.-С.663-665
|
2.
| Рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры Ti3SiC2/В. Р. Галахов, С. Н. Шамин, В. А. Трофимова, Н. А. Овечкина, Д. Г. Келлерман, В. С. Горшков, М. В. Кузнецов, Я. Н. Блиновсков, В. А. Переляев // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996.-С.57-60
|
3.
| Medvedeva N. I. Cleavage fracture in Ti3SiC2 from first-principles/N. I. Medvedeva, A. J. Freeman // Scripta Materialia, 2008. т.Vol. 58,N № 8.-С.671-674
|
4.
| Еняшин А. Н. Квантовохимическое моделирование нанотрубок силикокарбидов титана Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3/А. Н. Еняшин, А. Л. Ивановский // Теоретическая и экспериментальная химия, 2009. т.Т. 45,N № 2.-С.88-92
|
5.
| Медведева Н. И. Моделирование процессов скольжения разрыва силикокарбида титана/Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Деформация и разрушение материалов, 2008,N № 1.-С.18-21
|
6.
| Юрьева Э. И. Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co/Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии, 2004. т.Т. 45,N N 2.-С.207-214: табл.
|
7.
| Медведева Н. И. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения/Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников, 2003. т.Т. 37,N N 11.-С.1281-1284: табл., граф.
|
8.
| Синтез и исследование свойств тройной фазы Ti3SiC2/Д. Г. Келлерман, В. С. Горшков, Я. Н. Блиновсков, И. Г. Григоров, В. А. Переляев, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1997. т.Т. 33,N N 3.-С.329-332
|
9.
| Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты/Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 1995. т.Т. 31,N N 1.-С.55-62
|
10.
| Новиков Д. Л. Электронные свойства M3SiX2-фаз (M = Ti, V, Zr; X = C, N)/Д. Л. Новиков, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996,N Ч. 1.-С.308
|
|
|